HBM2: Samsung stellt neue Packaging-Technologie für 12 Layer und Stacks mit 24 GiByte vor
Mit einer neuen Packaging-Technologie steigert Samsung die Anzahl an Layern eines HBM2-Stacks. 12 Schichten (12-Hi) könne man damit übereinanderstapeln, ohne die Bauhöhe im Vergleich mit 8-Hi-Stacks steigern zu müssen. Zugleich sollen schon bald die ersten HBM2-Module mit 12 Layern und 24 GiByte in Masse vom Band laufen.
Samsung hat bekanntgegeben, eine neue Packaging-Technologie entwickelt zu haben, mit der es künftig möglich sein wird, die Anzahl an DRAM-Chips in einem HBM2-Stack von aktuell 8 auf 12 zu erhöhen. Die Layer werden über mehr als 60.000 Durchkontaktierungen beziehungsweise Through Silicion Vias (TSV) untereinander verbunden.
Die Bauhöhe der 12-Hi-Stacks soll gegenüber aktuellen Stapelspeicher mit 8 Schichten (8-Hi) unangetastet bleiben. 720 Mikrometer messen die 8-Hi-Packages aktuell und dabei soll es auch bleiben, sodass die DRAM-Layer nunmehr dichter zusammenrücken. Aufgrund dessen wird bei Samsung auch in einem anderen Punkt die Werbetrommel gerührt. Aktuelle Kunden, die HBM2 nutzen, müssten aufgrund gleichbleibender Bauhöhe der Stacks ihre derzeitigen Systemkonfigurations-Designs nicht anpassen, um die 12-Hi-Varianten zu nutzen. Ebenfalls sinken durch den kompakteren Aufbau die Übertragungswege zwischen den einzelnen Chips, womit die Datenübertragung schneller vonstatten geht.
Die zusätzlichen Schichten helfen logischerweise bei der Steigerung der Speicherkapazitäten. Diesbezüglich will Samsung bereits demnächst die ersten 24-GiByte-HBM2-Module in die Massenproduktion schicken. Derartige Konfigurationen sah die Joint Electron Device Engineering Council Solid State Technology Association, kurz JEDEC, bereits Ende 2018 vor. Zum damaligen Zeitpunkt fehlte jedoch noch die nötige Fertigungstechnologie.
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Bei den 24 GiByte-Stacks würden 12 DRAM-Lagen mit jeweils 16 Gigabit zum Einsatz kommen. Derartige Chips hat Samsung auch zur Fertigung für HBM2E-Speicher abbestellt, der Anfang des Jahres vorgestellt wurde und eine Überbrückung bis HBM3 darstellen soll. Hier wird die Kapazität der Stacks bei acht Lagen auf 16 GiByte gesteigert, während Samsung zugleich die Geschwindigkeit steigert.
Quelle: Samsung
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Sorry, doppelpost ...
Ich würde endlich mal gerne eine APU / mobile APU mit HBM Stack sehen.
Dann verhungert die GPU nicht am DDR4 Speicherdurchsatz.
Mit dem 5770C hat man ja schon gesehen, dass selbst ein richtig kleiner aber schneller Speicher was bringt.
Die Titan V gibts schon lange...
Wenn eine neue Titan-Karte kommt dann mit dem großen Ampere-Chip.
Für Volta-Ti/Titan!
Die aktuelle Umsetzung von AMD sind große Mengen an L3-Cache. Die neuen EPYCs haben ja hunderte MB an Cache.
HBM-L4 würde da vermutlich nicht mehr sooo viel bringen (abgesehen von speziellen Anwendungen).