DDR5-RAM: Micron mit 9.200 MT/s dank 1γ-Fertigung mit EUV

Speicherhersteller Micron hat die erste Auslieferung von Mustern seines neuen DDR5-DRAMs verkündet, der auf dem neuen 1γ-Fertigungsprozess (1-Gamma) sowie erstmals auch auf EUV-Belichtung setzt, die Wettbewerber wie Samsung bereits seit längerem im Anschlag haben. Die sechste Generation der Speicherchips aus der 10-nm-Klasse wurde laut Ankündigung für die Zusammenarbeit mit "CPUs der nächsten Generation" entwickelt und baut auf Microns frühere 1α- (1-Alpha) und die bisherige 1β-Fertigung (1-Beta) auf.

Für den Einsatz in Rechenzentren bis hin zu KI-PCs, Smartphones und Autos gedacht, soll der 1γ-DRAM-Prozessknoten von Micron zunächst in Form eines 16-Gbit-DDR5-Speicherchips zum Einsatz kommen und im Laufe der Zeit in das gesamte Speicherportfolio integriert werden, darunter auch GDDR7. Das erste Produkt ist für Geschwindigkeiten von bis zu 9.200 MT/s ausgelegt und soll im Vergleich zum Vorgänger eine Geschwindigkeitssteigerung von bis zu 15 Prozent und eine Energieeinsparung von über 20 Prozent bieten.

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Micron: 1γ-Fertigung mit EUV als fortschrittlichste Speichertechnologie

Dafür setzt der 1γ-Node von Micron unter anderem auch auf High-K-Metal-Gate-CMOS-Technologie der nächsten Generation und verspricht in Verbindung mit EUV-Lithografie, Design-Optimierungen und Prozessneuerungen eine um 30 Prozent höhere Bit-pro-Wafer-Dichte im Vergleich zur Vorgängergeneration, was auch eine höhere Ausbeute verspricht. Laut Sumit Sadana, Executive Vice President und Chief Business Officer von Micron Technology, hat Micron damit die "weltweit fortschrittlichste Speichertechnologie" am Start und liefert "eine bahnbrechende Errungenschaft mit seiner unübertroffenen Energieeffizienz und außergewöhnlichen Leistung".

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DDR5-RAM: Neue Micron-Speicherchips schon 2025

Wie Tom's Hardware hierzu berichtet, betont das Unternehmen auch, dass der Chip problemlos mit JEDEC-konformen Geschwindigkeitsstufen betrieben werden kann und höhere Geschwindigkeitsbereiche eine gewisse Zukunftssicherheit ermöglichen. Zudem deute Micron an, dass CUDIMMs oder CXL-basierte Speichermodule höhere als die JEDEC-Geschwindigkeiten nutzen könnten.

Hersteller von DIMMs für den High-End-Bereich würden demnach wahrscheinlich auch den neuen DRAM für Arbeitsspeicherriegel mit mehr als 10.000 MT/s übernehmen, was derzeit noch OC-Gefilde ist. Auf Basis der derzeitigen Bemusterung bei Laptop- und Serverherstellern wird damit gerechnet, dass die Qualifizierung in ein oder zwei Quartalen abgeschlossen sein wird und die neuesten Speicherbausteine von Micron ab Mitte 2025 in Einzelhandelsprodukten erhältlich werden könnten.

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DDR5-RAM: Micron mit 9.200 MT/s dank 1γ-Fertigung mit EUV Micron hat eine neue Generation von DDR5-Speicherchips vorgestellt, die dank 1γ-Fertigung mit EUV mehr Leistung bei weniger Energiebedarf verspricht.

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