Samsung: Leistungsdetails zum 10-nm-Prozess und Ausblick auf 7 nm
Samsung hat im Rahmen einer Präsentation zahlreiche Leistungsdetails zum anlaufenden 10-nm-Prozess bekannt gegeben. Den Anfang macht 10LPE, der rund zehn Prozent effizienter als 14LPP zu Werke gehen oder eine 50 Prozent höhere Performance ermöglichen soll. 10LPP wird später folgen und soll der langlebigste Nicht-EUV-Prozess werden.
Während im Grafikkarten- und Prozessorbereich gerade 14 Nanometer das Maß aller Dinge sind, stehen im mobilen Sektor (und bei Intels Cannonlake-Zweikernern) bereits 7 beziehungsweise 10 nm an. Mitte Oktober hatte Samsung die anlaufende Massenproduktion von Chips in 10LPE (Low Power Early) bekannt gegeben, die in den kommenden Wochen weiter hochgefahren werden soll. Die japanische Webseite pc.watch.impress.co.jp (maschinelle Übersetzung) zeigt nun einige von Samsung stammende Präsentationsfolien, die Details zu 10LPE und dem verbesserten 10LPP (Low Power Plus) nennen und einen Ausblick auf die 7-nm-Generation geben.
Grundsätzlich kann Samsung den Metal Pitch von 64 auf 48 nm und den Gate Pitch von 78 auf 64 nm schrumpfen. Damit sind die 10-nm-Prozesse aus Südkorea etwas dichter gepackt als Intels 14 nm (der mit 10 nm wiederum einen Vorsprung erwartet). Indirekt macht der Hersteller auf die Problematik der 10-nm-Strukturbreite aufmerksam: Bei gleichbleibender Performance soll die Leistungsaufnahme nur um circa zehn Prozent sinken, die Performance bei gleichbleibender Leistungsaufnahme um etwa 50 Prozent steigen. 10LPP soll noch einmal knapp zehn Prozent stromsparender werden oder eine 10 bis 18 Prozent höhere Performance ermöglichen. Der Einzelfall wird entscheiden müssen, ob die Vorteile die höheren Produktionskosten, unter anderem durch zusätzliche Masken verursacht, wert sind. Samsung geht davon aus, dass 10LPP den langlebigsten Nicht-EUV-Prozess darstellen wird.
EUV soll erstmals bei 7 nm zum Einsatz kommen, dort aber nicht zwingend vorausgesetzt werden. Ein 7-nm-Prozess ohne extrem ultraviolette Belichtung soll ähnlich wie seinerzeit 20 nm in speziellen Fällen eingesetzt werden. Das Problem: Es werden mehr als doppelt so viele Masken wie beim aktuellen 14LPP-Prozess benötigt, wodurch die Kosten stark steigen. Die später folgende EUV-Version soll diesbezüglich wieder auf dem Niveau von 14LPP liegen. Vor 2018 ist von Samsung aber noch nichts in 7 nm zu erwarten. TSMC und Globalfoundries wollen sich hingegen stärker auf 7 nm und weniger (TSMC) bis gar nicht (GF) auf 10 nm konzentrieren und könnten daher früher als Samsung dran sein.
Mal bei einer GPU als Beispiel.
Bei einer 200mm GPU anstatt 2000 Shader und 1200mhz 2600 Shader und 1350 mhz.
Mal als Beispiel.
Sie geben ja trotzdem nochmal extra an "X% mehr Performance oder Y% weniger Leistungsaufnahme".
Aber aufjeden Fall skaliert nicht jeder Chip bzw die Architektur die Taktsteigerung linear in Leistung, sodass 50% höherer Takt nicht zu 50% mehr Leistung führt
Aber aufjeden Fall skaliert nicht jeder Chip bzw die Architektur die Taktsteigerung linear in Leistung, sodass 50% höherer Takt nicht zu 50% mehr Leistung führt
Mal bei einer GPU als Beispiel.
Bei einer 200mm GPU anstatt 2000 Shader und 1200mhz 2600 Shader und 1350 mhz.
Mal als Beispiel.