Intel: 10-nm-Verzug aufgrund der aggressiven Herangehensweise an Moores Law
Intel-CEO Bob Swan sieht die Ursache für die mittlerweile rund 5-jährige Verzögerung bei der Serienfertigung von 10-nm-Prozessoren in Intels aggressiver Innovationskraft. Man habe das Mooresche Gesetz immer übertreffen wollen und bezahle nun den Preis.
Intel hat seit geraumer Zeit Probleme mit der Weiterentwicklung des Fertigungsprozesses. Der nächste Sprung wäre von aktuell 14 auf 10 nm, doch der verzögert sich immer wieder. Seit der Ankündigung heißt es aus dem Marketing - verständlicherweise -, dass man im Plan liege und es nächstes Jahr soweit sei. Das Spielchen geht seit geraumer Zeit und im Moment werden in Großserie produzierte Desktop-Prozessoren für irgendwann 2020 erwartet - Ice Lake mit Sunny Cove-Kernen sind das Stichwort, die 18 Prozent mehr IPC versprechen.
Bis dahin muss sich der Desktop-Kunde nach bisherigem Stand mit Comet Lake S zufriedengeben, der im Q1 2020 die Zeit bis zum Release von Ice Lake in 14 nm "Quad-Plus" überbrücken soll. Für Intel dürfte die Nummer mittlerweile auch etwas peinlich sein, zumal AMD den Druck erhöht. CEO Bob Swan, der noch nicht so lange im Amt ist, hat nun auf einer Technologie-Konferenz im Luxusurlaubsort Aspen über das Thema gesprochen.
Swan sieht die Zukunft von Intel im Segment Data, weniger im Segment PC, und will das Unternehmen darauf hin ausrichten. Heißt also mehr Server für Data Center, weniger Personal Computing. Als Swan dann auf Moores Law angesprochen wurde, spürte man eine leichte Verteidigungshaltung.
Zu aggressiv in Forschung und Entwicklung?
Laut Swan habe Intel immer versucht, das Mooresche Gesetz zu übertreffen. Insbesondere bei der Transistordichte, die alle zwei Jahre zu verdoppeln wäre. Im Falle des Wechsels auf 10 nm wäre der Sprung von 14 nm das 2,7-fache statt das 2-fache laut Gesetz. Aufgrund Intels "aggressiver Innovationspolitik" habe man nun mit den Problemen eines 5-jährigen Verzugs zu kämpfen. Die "immer aggressiveren Ziele" wären mit der Zeit immer schwerer erreichbar.
Das sei auch der Grund, warum man sich beim Wechsel von 10 nm auf 7 nm streng an das Gesetz halte und eine 2-fache Verdichtung der Transistoren anstrebt, um nicht wieder Gefahr zu laufen, dass sich die Serienreife solange verzögert. 7 nm ist für 2021 angesetzt und wird bereits entwickelt; 10 nm startet noch dieses Jahr in Kleinserie für Mobilprozessoren.
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Ganz interessant war zum Schluss auch die Aussage, dass sich Intel 30 Prozent des Silizium-Marktes gesichert hat. Das dürfte deutlich machen, dass man weiter nach Diversifizierung sucht, auch wenn es Rückschläge wie die Entwicklung eines Smartphone-Prozessors gab, wo man den Markt erst verschlafen hatte und dann nicht gegen die ARM-Konkurrenz ankam. Intel will sich im Bereich "Big Compute Performance" stärker diversifizieren, was auch auf das eingangs erwähnte "data centric" passt. Insbesondere KI-Berechnungen würden den Markt antreiben.
Quelle: Fortune
"Diese doofe Sache namens 'Realität', die wir halt leider manchmal beachten müssen, hält unsere Innovationskraft zurück!"
Danke, musste lachen.
Intel hat 10 nm von Anfang an ohne EUV geplant. 7 nm war der Node, bei dem man lange Zeit beide Optionen in Betracht zog und sich erst mit fortschreitender Verzögerung auf EUV festgelegt hat.
Wenn du "schlau" genug bist, ganz "einfach" Hochleistungstransistoren in Polykristalinem Silizium zu implementieren, dann solltest du diese Technik schnell zum Patent anmelden und selbiges dann für eine mindestens 11 stellige Summe verkaufen. Dreidimensionale Logik gilt seit Jahrzehnten als DIE Zukunft der Halbleitertechnik, ist bislang aber noch niemanden gelungen. Auch in 3D-Flash sind nur die Speicherzellen gestapelt, bei ct-Flash werden einfach mehrere Abschnitte eines aufrecht stehenden Zylinders als unabhängige Speicherbereiche genutzt. Die Logikschaltungen (von denen Flash eher wenig braucht) liegen aber alle in einer Ebene unter den Speicherzellen. (Siehe u.a. PCGH 12/15)