DDR5-RAM für Overclocker: Teamgroup stellt Module für 2,6 Volt und mehr in Aussicht
Teamgroup hat bekanntgegeben, dass sie erste DDR5-Module für Overclocker fertiggestellt haben. Samples des Arbeitsspeichers wurden bereits an die Mainboard-Hersteller verschickt. Ausgelegt sei der DDR5-Arbeitsspeicher für Spannungen von 2,6 Volt und darüber hinaus.
Es ist schon einige Monate her, dass Teamgroup DDR5-Arbeitsspeicher für das zweite Halbjahr 2021 angekündigt hat. Nun meldet das Unternehmen die Fertigstellung eines speziellen Moduls für Übertakter aus der T-Force-Reihe. Ein Launch geht damit, mangels Plattformen, noch nicht einher. Aber es seien bereits Exemplare des DDR5-Speichers an Mainboard-Hersteller für weitere Tests geschickt worden - namentlich an Asus, Asrock, MSI und Gigabyte.
Viele Details gibt Teamgroup in seiner Pressemeldung nicht preis. So kann man beispielsweise nur mutmaßen, für welche Frequenzen der Hersteller den Speicher auslegt. In puncto Spannung wird Teamgroup allerdings konkret. 2,6 Volt und mehr sollen die Module vertragen. Dabei kommt Teamgroup offenbar entgegen, dass die Spannungsregulierung bei DDR5 vom Mainboard in die Module wandert.
Standard-DDR5-Speicher mit 1,1 Volt
Dabei soll die typische Spannung abseits des angekündigten Teamgroup-Moduls eigentlich von 1,2 auf 1,1 Volt gesenkt werden. Diese Spezifikation findet sich auch im Kontext des bereits vergangenen Dezember von Teamgroup angekündigten DDR5-Arbeitsspeicher. Die vorläufigen Spezifikationen der ersten Charge beliefen sich auf 16 GiB, 2.400 MHz (DDR5-4800) und 1,1 V für ein einzelnes Modul.
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Wann entsprechende Module für Endkunden auf den Markt kommen, steht und fällt mit der Verfügbarkeit der Plattformen. AMDs aktuelle Ryzen-5000-Serie und zugehörige AM4-Mainboards setzen noch auf DDR4-Arbeitsspeicher - das Gleiche gilt für Intels brandneue Rocket-Lake-Prozessoren. Der Umstieg auf DDR5 im Endkundenbereich wird bei Intel für Ende des Jahres mit Alder Lake-S erwartet.
Quelle: Pressemitteilung
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Der Trend geht eindeutig dahin, dass alles seine eigenen Spannu8ngswandler besitzt, was auch durchaus sinnvoll ist. Von daher lag der Schritt durchaus nahe, wenn man die Leistung noch weiter steigern möchte.
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Mehr als eine Verdoppelung der Spannung ist doch eher unrealistisch.
" The DDR5 overclocking memory has greater room for voltage adjustment, due to its upgraded power management IC. This PMIC can support high frequency overclocking with voltage over 2.6V. In previous generations, voltage conversion was controlled by the motherboard. With DDR5, components were moved to the memory, enabling the module to handle the voltage conversion, which not only reduces voltage wear but also reduces noise generation. This allows significantly increased room for overclocking compared to the past, and more powerful computing processing. "
THW ergänze das mit einem:
" One of the interesting features of DDR5 memory modules is that they can be equipped with their own VRMs and PMICs in a bid to reduce voltage fluctuation ranges, reduce power consumption, potentially improve DRAM yields, and increase performance where possible.
Memory modules with their own VRMs and PMICs were envisioned primarily for servers that pack terabytes of DRAM and power consumption of their memory can exceed power consumption of their CPUs. But makers of DRAM modules for client PCs can also equip their products with over-engineered VRMs and PMICs with a sole purpose in mind: boost out-of-box performance and maximize overclocking potential. "
So sind DDR4 Module, mit 0,9V, ausgeschlossen, da es der Standard nicht hergibt, bei DDR5 kann man soetwas immer nutzen. Umgekehrt können die Hersteller von Übertakter RAM ihren Chips eine höhere Spannung zumuten, ohne, dass man etwas einstellen müßte.
Interessant wird das wohl auch, wenn sich 12VO durchsetzen würde, dann könnte man die Module direkt mit 12V versorgen.
In jedem Fall muß man bei DDR5 dann auch noch der Spannungsversorgung der Module Beachtung schenken.
Großer Nachteil wird wohl sein, dass man nicht mehr so einfach und billig an gut übertaktbaren RAM rankommen wird.
Mehr als eine Verdoppelung der Spannung ist doch eher unrealistisch.