DDR5: Samsung bringt 8-Stack-TSV-DDR5-Speichermodule mit bis zu 512 GiB auf den Markt
Samsung hat im Zuge der HotChips 33 DDR5-Speicherriegel mit acht Stack TSV-Modulen und Kapazitäten bis 512 GiByte angekündigt. Gedacht sind die Produkte für den Einsatz im Server-Bereich.
Für die Zukunft plant Samsung mit der Markteinführung von TSV-Modulen mit acht Stacks, die letztlich eine geringere Höhe als DDR4-Speicher mit vier Stacks aufweisen soll, wie der Hersteller im Zuge der diesjährigen HotChips 33 bestätigte.
Ermöglicht werden die Module mit acht Stacks durch Optimierungen beim Packaging, wobei das geringere Profil auf eine 40-prozentige Reduzierung der Abstände zwischen den einzelnen Dies zurückzuführen ist und zugleich auch durch die Nutzung dünnerer Wafer ermöglicht wird. Wie videocardz.com, die hierüber berichten, hinzufügt, können 8-Stack-TSV-Module auch besser gekühlt werden.
Durch den größeren Stack sind Speichermodule mit deutlich höherer Speicherkapazität das logische Resultat. Module bis 512 GiByte sind damit im Rahmen im Machbaren und werden auch von Samsung bald zum Verkauf angeboten. Dort erwarte man abseits der höheren Kapazitäten derweil Performance-Steigerungen bei DDR5 gegenüber DDR4 von bis zu 85 Prozent bei Bandbreiten bis 7,2 Gbps. Hinsichtlich der genutzten Spannung sollen zugehörige Speichermodule mit 1,1 Volt arbeiten. Eine verbesserte Energieeffizienz ist in Kombination mit der direkt auf dem Modul implementierten Spannungsregelung die Folge.
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Angekündigt sind vonseiten Samsungs diesbezüglich RDIMM- und LRDIMM-Speichermodule mit 512 GiByte DDR5-7200, womit zunächst einmal der Server- und Workstation-Markt beziehungsweise Datencenter angesprochen werden. Bei Endverbrauchern landen Module mit derartigen Kapazitäten auf absehbare Zeit nicht, wie Samsung erklärt. Geplant seien dort nur UDIMM-Module mit maximal 64 GiByte. Ohnehin wird es bis zur breitflächigen Adaption von DDR5 im Mainstream-Segment noch etwas dauern. Bei Samsung erwartet man den dortigen Umschwung nicht vor 2023/2024.
