DDR5-4800: PNY Technologies stellt neuen XLR8-Gaming-RAM vor

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PNY Technologies stellt seinen DDR5-4800-Gaming-RAM vor, der im vierten Quartal 2021 in die Massenproduktion gehen soll
Quelle: PNY Technologies

Das US-amerikanische Hardwareunternehmen PNY Technologies aus New Jersey stellte kürzlich seinen DDR5-4800-RAM für Systeme der nächsten Generation vor. Laut Hersteller ermöglicht der DDR5-Standard Module mit einer höheren Dichte und einen schnelleren Takt verglichen mit früheren Generationen.

Die Zeit hat nun begonnen, in der Hersteller von Arbeitsspeichern nach und nach ihre Module mit DDR5-RAM der nächsten Generation vorstellen. PNY Technologies ist einer von diesen und kündigte am 17. August seinen DDR5-Speicher mit einem effektiven Takt von 2.400 MHz an, der unter der Gaming-Marke XLR8 laufen wird.

DDR5 versus DDR4

PNY erklärt dabei, welche Vorteile der DDR5-Standard gegenüber früheren Generationen zu bieten hat. So unterstütze DDR5 etwa Module mit einer höheren Dichte, sprich bis zu viermal höher pro Modul. Auch eine höhere Taktfrequenz ergebe sich mit DDR5. Während DDR4 auf einen JEDEC-Standardtakt von 1.600 MHz begrenzt ist, markieren 2.400 MHz den Start bei DDR5. Der PNY-Performance-Speicher soll zudem mit 16 GiByte pro Modul beginnen.

Des Weiteren arbeite der DDR5-RAM mit sehr niedrigen 1,1 Volt und soll die Funktion On-die ECC (Error-Correcting-Code) unterstützen, welche eine höhere Speichereffizienz erzielen könne. DDR4-Speicher müsse sich außerdem auf das jeweilige Mainboard verlassen, um die Spannungswandlung zu bewältigen, während DDR5 die Umwandlung auf dem Modul unterstützt, was in einem niedrigeren Spannungsverschleiß und in einer geringeren Geräuscherzeugung resultieren soll. Darüber hinaus habe der DDR5-Speicher dank des PMIC mehr Spielraum für Übertaktungs-Support und Spannungsanpassungen.

Ebenfalls lesenswert: DDR5-Speicher: Höhere Temperaturen laut Corsair - ADATA kündigt XPG DDR5 an

Intels Alder-Lake-CPUs, die Ende dieses Jahres auf den Markt kommen, sollen die Ersten sein, die DDR5 unterstützen. Mit zunehmender Kompatibilität weiterer CPU-Hersteller, glaubt PNY daran, dass der DDR5-Standard seinen Vorgänger DDR4 in zwei Jahren, bezogen auf die Beliebtheit, überflügeln wird.

Der XLR8-Gaming-DDR5-4800-RAM wird im dritten Quartal dieses Jahres für Kompatibilitätstests bei diversen Mainboard-Herstellern verfügbar sein und voraussichtlich im vierten Quartal 2021 in die Massenproduktion gehen, erwartet PNY Technologies. Dann soll der Arbeitsspeicher über Amazon, Bestbuy.com und über den hauseigenen Store erhältlich sein.

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Quelle: PNY Technologies

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    • Kommentare (10)

      Zur Diskussion im Forum
      • Von Geldmann3 PC-Selbstbauer(in)
        Kann man mit diesem Gamer Ram auch ganz normal Microsoft Office betreiben?
      • Von Geldmann3 PC-Selbstbauer(in)
        Kann man mit diesem Gamer Ram auch ganz normal Microsoft Office betreiben?
      • Von Christoph1717 Software-Overclocker(in)
        Zitat von MarcHammel
        Sind die Dinger eigentlich abwärtskompatibel zu aktuellen Mainboards, die noch auf DDR4 setzen? Ist da schon was bekannt? Ich bin, was das angeht, doch eher unbewandert.
        Nein, das wird nicht gehen.
        Jeder neue DDR Typ hat andere Kerben so das die schon mechanisch nicht reinpassen.
      • Von Gast1730761802
        Sind die Dinger eigentlich abwärtskompatibel zu aktuellen Mainboards, die noch auf DDR4 setzen? Ist da schon was bekannt? Ich bin, was das angeht, doch eher unbewandert.
      • Von Technologie_Texter BIOS-Overclocker(in)
        Hoffentlich funktioniert dieser RAM auch wenn man kein Gamer ist!
      • Von Pu244 Kokü-Junkie (m/w)
        Zitat von keinnick
        Was?
        Das wurde einfach nur schlecht übersetzt. Im Englischen ist von "noise" die Rede, was normalerweise Lärm, in diesem Zusammenhang allerdings eher "unsaubere(r) Spannung/Strom" bedeutetet. "Voltage wear" bedeutet in dem Zusammenhang eher "Spannungsabfall", ich bin froh, dass es der Autor nicht mit "anziehen/tragen" übersetzt hat.

        Was uns das ganze eigentlich sagen wollte ist, dass die Spannungswandlung auf den Modulen für eine deutlich bessere und stabilere Spannungversorgung der Speichermodule sorgen wird.

        Der Autor ist hingegen durch den Turingtest gefallen.
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