Samsung beginnt Massenfertigung von zweiter Generation 10-nm-DRAM-Chips

Der Elektronikgigant Samsung hat angekündigt, der erste Speicherchiphersteller zu sein, der DRAM-Chips in einem Verfahren der 10-nm-Klasse der zweiten Generation massenfertigt. Als 10-nm-Klasse fasst Samsung alle Produkte auf, die in einer Prozessstruktur zwischen zehn und neunzehn Nanometern gefertigt werden. Entsprechende 10-nm-Produkte der ersten Generation wurden von der südkoreanischen Firma schon im Februar des letzten Jahres veröffentlicht.

Samsung verwendet bei der Fertigung der neuen DRAM-Chips neue, in der Pressemitteilung nicht genauer beschriebene Technologien, ohne dabei EUV-Lithografie anzuwenden. Stattdessen hebt der Elektronikkonzern eine neue Technologie hervor, die mit hoher Sensibiliät erkennt, in welchen Speicherzellen welche Daten gelagert sind. Dadurch können Daten genauer erkannt und die Schaltungsintegration verbessert werden. Außerdem werden sogenannte Air-Spacer eingesetzt, wobei während der Produktion zwischen verschiedenen Siliziumschichten ein weiteres Material integriert wird, welches in einem späteren Produktionsschritt per isotropen Ätzen wieder entfernt wird. Dadurch bleiben Luftschichten in dem Silizium-Layout, welche die parasitären Bitleitungskapazitäten deutlich reduzieren - um etwa 34% laut früheren Angaben der Südkoreaner.

Die Air-Spacer erlauben es, die Chips dichter zu packen und schneller zu betreiben. Dank des 10-nm-Verfahrens der zweiten Generation bietet Samsung nach Eigenaussage den kleinsten, leistungsfähigsten und energieeffizientesten 8-Gigabit-DRAM-Chip an. Die zweite Prozessgeneration in der 10-nm-Klasse erhöht die Produktivität um etwa 30 Prozent gegenüber dem Vorgänger. Die Leistung der neuen 8-Gigabit-Chips soll um zehn Prozent gestiegen sein, während die Energieeffizienz um ganze 15 Prozent vergrößert wurde. Jeder Pin der neuen DDR4-Chips kann mit einer Geschwindigkeit von 3.600 Megabit pro Sekunde arbeiten, die Vorgängerprodukte erreichten eine maximale Geschwindigkeit von nur 3.200 Megabit pro Sekunde.

Samsung plant nach dem Erfolg mit den 8-Gigabit-DRAM-Chips für DDR4-Speicherriegel, das Voranschreiten bei weiteren Produkten zu beschleunigen. Namentlich genannt werden DRAM-Chips und Systeme der nächsten Generation, einschließlich DDR5, HBM3, LPDDR5 und GDDR6 für professionelle Anwendungen, Mobilgeräte, Supercomputer, Workstations und High-Speed-Grafikkarten. Die Validierung der neuen DDR4-Module wurde in Zusammenarbeit mit den CPU-Herstellern schon abgeschlossen. Neben der Massenfertigung von Speicherchips der zweiten Generation der 10-nm-Klasse will Samsung auch die Produktionskapazitäten für Produkte im Verfahren der ersten Generation erhöhen, um der wachsenden Nachfrage Herr zu werden.

Quelle: Samsung-Pressemitteilung

Artikel teilen

Samsung beginnt Massenfertigung von zweiter Generation 10-nm-DRAM-Chips Samsung hat angekündigt, dass die Massenproduktion von DRAM-Chips der zweiten Generation der 10-nm-Klasse angelaufen ist. Die neuen 8-Gigabit-DRAM-Chips für DDR4-RAM sollen schneller, kleiner und stromsparender sein. Da die Produktion anscheinend gut läuft, sollen zukünftige Produkte (DDR5, GDDR6, HBM3) früher angeboten werden, weiterhin sollen mehr Produkte der ersten Generation gefertigt werden.

Per E-Mail versenden

8