NAND-Flash-Alternativen: Fortschritte bei ReRAM und ST-MRAM

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NAND-Flash-Alternativen: Fortschritte bei ReRAM und ST-MRAM
Quelle: Everspin

Verschiedene Speicherhersteller haben auf dem Flash Memory Summit 2017 Fortschritte bei den alternativen Technologien zu NAND-Flash vermeldet. Crossbar lässt bei Micron bald ReRAM in einem Prozess der 2x-nm-Klasse fertigen. Im Falle von ST-MRAM werden die ersten Testchips mit einer Kapazität von 1 Gbit von Everspin verschickt.

Neben dem ewig dominanten DRAM und den altehrwürdigen Magnetmassenspeichern in Form von Festplatten ist NAND-Flash als dritter Speichertyp im PC-Umfeld am verbreitetsten. Während DRAM schnell arbeitet und geringe Latenzen aufweist, dafür aber flüchtig ist, arbeitet NAND-Flash langsamer, aber nichtflüchtig. Das heißt, dass Daten auch ohne aktive Stromzufuhr gespeichert werden. Seit vielen Jahren forschen Speicherhersteller an Alternativen, die die Vorteile von DRAM und Flash kombinieren. Zusammen mit Micron hat Intel kürzlich erste Xpoint-Produkte auf Basis von Phasenwechselspeicher auf den Markt gebracht, der zumindest im Endkundenbereich spätestens wegen des hohen Preises aber noch nicht überzeugen kann.

Fortschritte in anderen Bereichen haben Hersteller im Rahmen des Flash Memory Summits 2017 vermeldet. Crossbar forscht an Resistive RAM, kurz ReRAM, der seine Zustände über die Zufuhr von Strom ändern kann, dank einer Lage Metalloxid aber nichtflüchtig arbeitet. Bisher wurden die Speicherchips noch in einem Prozess der 4x-nm-Klasse bei Micron gefertigt. In Kürze soll der Wechsel auf die 2x-nm-Klasse stattfinden, womit wesentlich mehr Chips auf einen Wafer passen und so die Produktionskosten sinken können. Die Kapazitäten reichen schon bis zu 1 Tbit. Aktuell wird ReRAM wegen der hohen Preise nur im industriellen Feld eingesetzt.

ST-MRAM steht für Spin Torque Magnetoresistive RAM und nutzt für Zustandsveränderungen magnetische Felder. Bisher hat Everspin Chips nur mit einer Kapazität von 256 Mbit gefertigt. Inzwischen soll jedoch die Auslieferung von Testchips mit 1 Gbit begonnen haben, was dann immerhin 128 MByte pro Chip ergibt.

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    • Kommentare (2)

      Zur Diskussion im Forum
      • Von Diablokiller999 Freizeitschrauber(in)
        Zitat von bofferbrauer
        Und das wird wohl noch einige Jahre dauern. Schade eigentlich, denn sie sind allesamt eigentlich teils deutlich besser (auf dem Papier jedenfalls) als Flash
        Naja, Flash hat auch seine 20 Jahre gebraucht, bis er im Massenmarkt an kam. Jetzt gönn ihm doch seine Zeit an der Spitze, die HDD hat er von der Kapazität her schon fast eingeholt und bis es preislich soweit ist, können ReRAM und die Anderen noch reifen. Wenn man sie zu früh erntet, kommt sowas wie XPoint raus
      • Von Diablokiller999 Freizeitschrauber(in)
        Zitat von bofferbrauer
        Und das wird wohl noch einige Jahre dauern. Schade eigentlich, denn sie sind allesamt eigentlich teils deutlich besser (auf dem Papier jedenfalls) als Flash
        Naja, Flash hat auch seine 20 Jahre gebraucht, bis er im Massenmarkt an kam. Jetzt gönn ihm doch seine Zeit an der Spitze, die HDD hat er von der Kapazität her schon fast eingeholt und bis es preislich soweit ist, können ReRAM und die Anderen noch reifen. Wenn man sie zu früh erntet, kommt sowas wie XPoint raus
      • Von bofferbrauer Volt-Modder(in)
        MRAM, RRAM(ReRAM), Nano-RAM und PRAM dürften die 4 Anwärter sein auf den Nachfolger von Flash. ReRAM gibt es ja schon in abgewandelter Form mit 3D X-Point.

        Richtig in die pushen kommen diese aber wohl erst, wenn bei Flash Ende der Fahnenstange ist, sprich wenn die Schreibzyklen einfach zu wenig werden. Und das wird wohl noch einige Jahre dauern. Schade eigentlich, denn sie sind allesamt eigentlich teils deutlich besser (auf dem Papier jedenfalls) als Flash
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