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NAND-Flash-Alternativen: Fortschritte bei ReRAM und ST-MRAM Verschiedene Speicherhersteller haben auf dem Flash Memory Summit 2017 Fortschritte bei den alternativen Technologien zu NAND-Flash vermeldet. Crossbar lässt bei Micron bald ReRAM in einem Prozess der 2x-nm-Klasse fertigen. Im Falle von ST-MRAM werden die ersten Testchips mit einer Kapazität von 1 Gbit von Everspin verschickt.

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NAND-Flash-Alternativen: Fortschritte bei ReRAM und ST-MRAM
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[Quelle: Everspin]

https://www.pcgameshardware.de/RAM-Hardware-154108/News/ReRAM-ST-MRAM-Fortschritte-FMS-2017-1236152/galerie/2778269/
[17/08/2017] NAND-Flash-Alternativen: Fortschritte bei ReRAM und ST-MRAM

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