Samsung MRAM: In-Memory Computing funktioniert nun mit MRAM
Samsung ist einer der größten Chiphersteller der Welt und ist vor allem im Speicherbereich eines der führenden Unternehmen. Nun haben die Südkoreaner eine neue Speicherart mit einer Besonderheit vorgestellt. Der Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM) ist eine komplette Neuentwicklung, bei der erstmalig Rechenoperationen hocheffizient direkt im Speicher stattfinden können. Lesen Sie dazu im Folgenden mehr.
Durch den MRAM soll es möglich werden, Systemprozessoren und Speicher für die nächste AI-Chip-Generation zusammenzulegen, um Ressourcen zu sparen. Am Samsung Advanced Institute of Technology (SAIT) haben Wissenschaftler das neue Computing-Paradigma untersucht und optimiert. Das Schema kann, ohne Daten verschieben zu müssen, gleichzeitig durch Parallelisierung eine große Datenmenge extrem effizient verarbeiten. Dadurch hat sich In-Memory-Computing zu einer sehr vielversprechenden Technologie entwickelt, die vor allem durch den geringen Stromverbrauch punkten kann.
Bisher wurden dazu allerdings andere nicht-flüchtige Speichertypen genutzt. Mit den konventionellen Schemata mussten Resistive Random Access Memory (RRAM) und Phase-change Random Access Memory (PRAM) genutzt werden, da MRAM durch den geringen internen Widerstand mit den konventionellen Rechenoperationen seinen Effizienzvorteil nicht ausspielen konnte. Das wurde nun durch eine interne architektonische Veränderung in Form eines MRAM-Array-Chips ermöglicht, der die "Current-Sum"-in-memory-computing-Architektur durch die "Resistance-Sum"-in-memory-computing-Architektur ersetzt.
Bei Tests mit AI-Operationen konnte der MRAM eine Genauigkeit von 98 % bei der Klassifizierung handgeschriebener Zahlen und eine Genauigkeit von 93 % bei der Gesichtserkennung erreichen. Die Wissenschaftler von SAIT sehen seinen Nutzen aber nicht nur beim in-memory-computing, sondern auch in biologischen neuronalen Netzwerken, da die funktionalen Grundprinzipien eines menschlichen Gehirns ihrem Prozess ähnlich seien.
Quelle: Samsung
Und ich bezweifle dass den RAM weiter bestromen gegenüber der Mobilfunkeinheit wirklich auffällt.
Ich sehe allerdings den Nutzen nicht so ganz, denn in-Memory-Compute nutzt man logischerweise vor allem dort, wo dauerhaft sehr große Datenmengen auftreten und mit vergleichsweise simplen Operatioren effizient bearbeitet werden sollen. Also vor allem Datenbankensever. MRAM nutzt man, wenn kleine Datenmengen unverändert auch über längere Stillstandzeiten gespeichert werden müssen. Also zum Beispiel Umwelt-Sensoren. Eine Schnittmenge beider Welten wäre mir nicht bekannt und somit auch kein Anwendungsgebiet für diese spezifische Verknüpfung.