Samsung entwickelt neue Transistor-Struktur auf Basis von Graphen
Der koreanische Elektronikriese Samsung hat eine neue Transistor-Struktur aus Graphen entwickelt. Samsung will damit die Elektronenmobilität im Vergleich zu Silizium umfassend erhöhen und spricht von einem Wundermaterial.
Bei der Produktion von Prozessoren setzen Unternehmen seit Jahrzehnten darauf, Leistungssteigerungen vor allem durch verkleinerte Strukturen zu erreichen, wodurch sich auch der Weg vermindert, den Elektronen innerhalb des Chips zurücklegen müssen. Langsam stößt dieses Verfahren jedoch an die Grenzen der Physik.
Eine weitere Möglichkeit für mehr Leistung wäre ein Material, das eine deutlich höhere Elektronenmobilität aufweist - das den Elementarteilchen also höhere Geschwindigkeiten erlaubt. Graphen wäre mit einer rund 200 mal größeren Elektromobilität im Vergleich zu Silizium so ein Material. Bisher eignet sich Graphen aber nicht als Basis für Transistoren, da sich der Ladungsfluss der halbmetallischen Graphen nicht abschalten lässt. Dem Elektronikriesen Samsung ist es nun gelungen, auf diesem Gebiet erste logische Schaltungselemente zu verwirklichen.
Um das Problem des nicht schaltbaren Ladungsflusses zu umgehen, könne man laut Samsung Graphen in einem Halbleiter umwandeln. Dabei würde allerdings auch die Elektronenmobilität spürbar reduziert, weshalb die Forscher einen anderen Ansatz wählten. So habe man ein System entwickelt, bei dem sich der Ladungsfluss unter Einsatz einer Schottky-Barriere aus Graphen und Silizium ein- und ausschalten lässt. Bei dieser Barristor genannten Variante lässt sich der Ladungsfluss durch Änderung der Höhe der Barriere schalten.
Quelle: Newswire
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