Samsungs Halbleitersparte: 5-nm-EUV in der Serienfertigung, mehr Geld für 8 nm - wegen Ampere?
Gerüchte um Verzögerungen bei Samsungs Halbleitersparte haben sich nicht bewahrheitet. Wie die Südkoreaner melden, sei die Serienproduktion von 5-nm-EUV längst angelaufen - im Laufe des zweiten Halbjahres soll der Output sogar gesteigert werden. Auch ins 8LPP-Verfahren, in dem Nvidia angeblich Ampere produzieren lässt, sollen weitere Investitionen geflossen sein.
Wie Samsung Foundry mitteilt, ist die Serienfertigung des hauseigenen 5-nm-EUV-Prozesses bereits seit dem zweiten Quartal des Jahres 2020 im Gange. Außerdem plane man, das Volumen - mit Blick auf die wachsende Kundschaft - im Laufe des zweiten Halbjahres weiter auszubauen. Gerüchte, dass es bei Samsungs Halbleitersparte zu Verzögerungen kommt, haben sich damit als unzutreffend herausgestellt. Die Südkoreaner betonen ebenfalls, dass sich der 4-nm-Prozess, konkret 4LPE, im Fahrplan befindet und dass man bei der zweiten Generation, 4LPP, seine Bemühungen nun intensivieren wolle. Zu beachten ist, dass sowohl 5LPE als auch 4LPE auf 7LPP basieren.
Dank wachsender Kundschaft vermeldet Samsungs Halbleitersparte außerdem einen Einnahmenrekord. In dem Kontext sei auch in den Ausbau der Kapazitäten von 5LPE und 8LPP investiert worden. Letzteres könnte für PC-Gamer ein spannendes Thema sein, da man Nvidia nachsagt, bei Samsung entsprechende Kapazitäten gebucht zu haben. Angeblich laufen Ampere-GPUs wie der GA102 dort in 8 Nanometern vom Band, der die Grundlage einer Geforce RTX 3080 Ti bilden könnte. Gemeinhin geht man allerdings davon aus, dass Ampere wie auch AMDs Zen-2-Prozessoren und die kommenden RDNA-2-GPUs bei TSMC in 7 Nanometern produziert werden.
Fertig Nvidia bei Samsung in 8 Nanometern?
Zwischenzeitlich ging auch das Gerücht steil, AMD sei Nvidia mit den Bestellungen zuvorgekommen und habe so viel Kapazitäten in Beschlag genommen, dass Nvidia einen hohen Preis zahlen musste. Von offizieller Seite bestätigt sind solche Meldungen allerdings nicht.
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Samsungs 8LPP könnte gegenüber TSMCs 7-nm-Prozess durchaus das Nachsehen haben, da er nur eine modifizierte Version von 10LPP darstellt. Letztlich handelt es sich bei den kommunizierten Strukturgrößen aber generell eher um Marketinbezeichungen, die man herstellerübergreifend kaum miteinander vergleichen kann. Intels 10-nm-Prozess sei beispielsweise eher mit TSMCs 7-nm-Verfahren vergleichbar - wenngleich sich das Verfahren bei den Taiwanern inzwischen deutlich besser eingespielt hat.
Quelle: Samsung (1, 2), via Golem
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TSMC 7nm: 96,49
Intel 10nm: 106,10
Samsung 7LPP: 95,30
Samsung 5LPE: 126,53
TSMC 5nm: 185,46
Intel 7nm (*): 253,04
TSMC 3nm (*): 247,28
Samsung 3LPE (*): 216,37 (GAA statt FinFET vermutet)
(*) estimated
Von der reinen Transistordichte her sind TSMC 7, Samsung 8 und Intel 10nm grob vergleichbar. Das macht aber keine generellen Aussagen über die Leistungsfähigkeit eines Prozesses.
Hier auch die "echten" Nanometer (Metal to Pitch in nm = Mindestabstand zwischen zwei Metallschichten, das wo immer Leute Angst vor Quanteneffekten haben wenns doch nur noch 5nm wären) abseits der Marketingnamen:
TSMC 7nm: 40
Intel 10nm: 44
Samsung 7LPP: 36
Samsung 5LPE: 36
TSMC 5nm: 28
Intel 7nm (*): 32
TSMC 3nm (*): 28
Samsung 3LPE (*): 32
(*) estimated
Das einzige was tatsächlich in die Größenregionen von 5-10nm kommt sind die Dicke der Fins im finFET-Verfahren, nicht aber die eigentlichen (leitenden) Strukturen.
...und bevor jetzt einer nach der Quelle fragt - ich kann die Seiten nicht alle verlinken, da die Frage ständig kommt hab ich mir über die Monate überall ein paar Werte aus allerlei Kram zusammengesucht. Man findet aber per Google vergleichsweise viel.
Am konservativsten und der alten zählweise nahesten ist dabei offensichtlich Intel, deren 7-nm-Versprechen auf dem Niveau von Samsungs 3-nm-Angaben liegen. Das heißt der nächster Fullnode nach TSMC 7 nm (beziehungsweise Intel 10 nm) kommt nicht mit diversen "6 nm"- oder "5 nm"-Variationen, sondern erst mit 3 nm. Zwar sollte auch dafür nächstes Jahr die Risikoproduktion beginnen, aber da mittlerweile ein volles Jahr mobile-Exklusivität üblich ist, werden wir entsprechende Prozessoren vermutlich erst 2023 im PC sehen. Dann ist gegenüber den 2019er 7-nm-CPUs auch eine deutliche Verbesserung zu erwarten, aber früher gab es so einen Fullnode-Leistungssprung eben alle zwei Jahre. Da gibt es heute nur noch Halfnodes und die haben auch noch nie revolutionäre Fortschritte gebracht.
Und so lange die Leute +30% nach 3 Jahren genauso kaufen wie damals +80% nach 1,5 Jahren ist für die Hersteller alles super.
Unterm Strich bleibt nach wie vor: Man weiß es nicht.
Das einzige, was man weiß ist, dass a) nVidia 8LPP-Kapazitäten gebucht hat, dass b) der große Ampere bei TSMC im N7 gefertigt wird und c) nVidia's SD-Plattform Drive AGX Orin auf Samsung's 8LPP gefertigt werden wird, die bspw. zweifelsfrei ein hohes Fertigungsvolumen aufweisen wird.
Bezüglich Ampere wird man weiterhin abwarten müssen ... zumindest noch ein paar wenige Wochen ...
Letzteres ist offensichtlich
Zudem erklärte Samsung kürzlich, dass man die Fertigungskapazitäten für 8LPP und auch 5LPE ausbauen werden. Ersteres passt recht gut zum Orin, der in 2022 in großen Stückzahlen verfügbar werden soll, muss aber natürlich nicht ausschließlich auf nVidia als Kunden zurückzuführen sein.
Halbleistersparte? Heißt das nicht Halbleitersparte?
Für die Mobilgeräte und so. Halbe Leistung dafür auch nur halber Verbrauch