Mehr Transistoren, höherer Takt: Intel beziffert Vorteile von E-Kern mit PowerVia-Technologie
Auf dem VLSI Symposium wird Intel einen Chip vorstellen, dessen E-Kerne mit der neuen PowerVia-Technologie versorgt werden. Dadurch verspricht sich das Unternehmen eine höhere Logikdichte und gestiegene Taktraten. Die Erwärmung soll bei der rückseitigen Energieversorgung hingegen kein Problem darstellen.
Das jährlich abgehaltene VLSI Symposium bietet Unternehmen der Halbleiterbranche die Möglichkeit, neuartige Entwicklungen vor Fachpublikum zu präsentieren. Von Intel soll es dieses Jahr dabei unter anderem einen Ausblick auf einen zukünftigen Fertigungsprozess geben: Einige Mitarbeiter des Unternehmens werden dort ein Paper vorstellen, in dem die Integration eines Intel E-Kerns mit der neuen PowerVia-Technologie beschrieben wird.
Neue Energieversorgung für höhere Taktraten
PowerVia ist Intels Bezeichnung für die Energieversorgung eines Chips über dessen Rückseite, wohingegen die Transistoren und Verdrahtungsebenen auf der Oberseite verbleiben. Die Technik soll laut der Roadmap des Unternehmens mit der 20A-Fertigung eingeführt werden, das Paper bezieht sich aber offenbar noch auf den größeren Fertigungsprozess Intel 4. Vermutlich nutzt Intel diesen als Testplattform, um die PowerVia-Technik bis zur 20A-Fertigung serienreif zu machen.
Für genaue Details zu den Ergebnissen des Experiments wird man wohl die Veröffentlichung des Papers abwarten müssen, sofern diese überhaupt geplant ist. In der Ankündigung im Zeitplan des VLSI Symposiums lassen sich aber schon erste Details finden. Demnach soll PowerVia offenbar einen niedrigeren IR Drop ermöglichen, also geringere Verluste durch Widerstände. Dadurch soll sich der Kerntakt um über 5 Prozent steigern lassen.
"PowerVia ermöglichte eine Standardzellenauslastung von mehr als 90 Prozent in weiten Bereichen des Kerns und zeigte gleichzeitig einen Frequenzvorteil von mehr als 5 Prozent in Silizium aufgrund eines reduzierten IR-Abfalls. Erfolgreiches Post-Silizium-Debugging wurde mit etwas höheren, aber akzeptablen Durchsatzzeiten demonstriert. Die thermischen Eigenschaften des PowerVia-Testchips stehen im Einklang mit den höheren Leistungsdichten, die durch die Skalierung der Logik erwartet werden."
Quelle: Intel
Mit dem 20A-Prozess will Intel die neue PowerVia-Technologie einführen. Die Ergebnisse beziehen sich aber auf die Fertigung "Intel 4".
Gleichzeitig soll laut Intel auch die Logikdichte höher sein, sodass Teile des E-Kerns zu über 90 Prozent mit tatsächlichen Logikschaltungen und nicht etwa mit Verbindungsleitungen belegt werden konnten. Einen Vergleich, wie hoch dieser Wert ohne PowerVia ist, hat das Unternehmen aber leider nicht parat. Stattdessen gibt es erste Details zur Erwärmung: Diese wird durch die neue Energieversorgung angeblich nur so viel höher, wie man es durch die erwähnte, höhere Logikdichte erwartet hätte.
Passend zum Thema: Fertigung nach Intel 4: Entwicklung von 20A und 18A soll abgeschlossen sein
Auch einen Nachteil sollen die Intel-Mitarbeiter entdeckt haben: Offenbar dauert die Fehlersuche fertiger Chips mit PowerVia-Integration etwas länger. Womöglich ist das aber nicht der einzige Nachteil - das finale Paper dürfte hier noch zahlreiche weitere Details nennen und auch mehr Hintergrundinformationen bieten. Spannend wäre beispielsweise die konkrete Architektur der genutzten Kerne, schließlich hat Intel einige verschiedene "E-Kerne" im Angebot.
Quelle: via Tom's Hardware
Der 5800X3D läuft mit einer 240er AiO nicht mal über 55°C bei mir (unter Last) und ist durch die PPT von 65W und -30 auf allen Kernen extrem effizient.
Selbst wenn du deinen KS auf 8 Kerne runter deaktivierst, wird der um Längen mehr Strom verbrauchen.
Ach und kleine Lehrstunde: die Hitze bei den CPUs mit einem kleinen Chiplet ist immer höher als bei welchen mit monolitischem größeren Chiplet wie bei deinem 13900KS. Da hat nix mit der Leistung oder Effizienz zutun, sondern mit der Fläche und die Wärme die darüber abgeführt werden muss.
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