512 GiB auf einem Modul: Samsung enthüllt revolutionären DDR5-RAM

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512 GiB auf einem Modul: Samsung enthüllt revolutionären DDR5-RAM.
Quelle: Samsung

In einem vor einigen Tagen veröffentlichten Video präsentierte Samsung seine Lösung für die nächste Generation von Arbeitsspeicher in Form von DDR5-RAM. Dieser soll mit einer Kapazität von 512 GiB auf einem Single-Modul aufwarten und Geschwindigkeiten von über 6.400 Mbit/s erreichen können.

Samsung hat Großes vor, was die nächste Generation von Arbeitsspeicher angeht. In einem Youtube-Video vom 6. April zeigt der Elektronik-Weltkonzern, wie seine neueste Lösung für DDR5-Speicher aussieht, untermalt mit dem Motto "Unlimit the Limit". Samsungs Technologie soll so weit sein, 512 GiB an Speicher auf nur einem RAM-Modul zu parken, was nach eigenen Angaben viermal die Kapazität von dem sei, was die vorherige Generation an Arbeitsspeicher zu bieten hatte.

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Diese Technologien machen es möglich

Samsung war bereits einer der Branchenführer bei DDR4-Speicher und möchte diesen Status bei DDR5 selbstverständlich beibehalten. Die aktuellen DDR4-Module nutzen bereits die "Layer-Stacking-Memory-Packing"-Technologie des Unternehmens, die beim DDR5-RAM noch weiter verfeinert werden soll. Auf einer Abbildung lassen sich die Unterschiede zwischen vierschichtigen DDR4-Speicherchips und achtschichtigen DDR5-Chips nachvollziehen, die beide über Samsungs Through-Silicon-Via-Technologie (TSV) zusammengesetzt sind.

Stapelung der Schichten: DDR4 vs. DDR5. Quelle: Samsung Stapelung der Schichten: DDR4 vs. DDR5. Die Vorzüge von Samsungs DDR5-Speicher. Quelle: Samsung Die Vorzüge von Samsungs DDR5-Speicher.

Die Abstände zwischen den Dies sollen bei DDR5 um 40 Prozent geringer sein. Dementsprechend haben laut Samsung die dichteren DDR5-Chipsätze eine Dicke von 1 mm und sind damit dünner als DDR4 mit 1,2 mm. Ein einzelnes 512-GiB-RAM-Modul soll darüber hinaus mit acht gestapelten DRAMs hergestellt werden, die miteinander verbunden sind.

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In dem Promotion-Video gibt der Hersteller zudem an, dass sein neuer DDR5-Speicher doppelt so schnell sein wird wie die vorherige Generation, mit einer Übertragungsrate von über 6.400 Mbit/s. Da DDR5-Speicher im Vergleich zu DDR4 laut Samsung zudem direkt einen PMIC (Power Management Integrated Circuit) in ein DIMM (Dual-Inline Speichermodul) integriert, sei dieser demnach um 30 Prozent energieeffizienter und gewährleiste eine stabilere Stromversorgung. Samsung soll DDR5-Speicher an Rechenzentren und Hersteller von Smartphones und Laptops ausliefern wollen. Ob RAM-Module mit einer Kapazität von 512 GiByte dann tatsächlich in die Hände der Verbraucher gelangt, wird die Zeit zeigen.

Quelle: Samsung, via Gizmochina

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    • Kommentare (14)

      Zur Diskussion im Forum
      • Von DARPA Volt-Modder(in)
        Ich versteh das auch nie. (V)RAM ist dafür da um gefüllt zu werden.
      • Von DARPA Volt-Modder(in)
        Ich versteh das auch nie. (V)RAM ist dafür da um gefüllt zu werden.
      • Von Technologie_Texter BIOS-Overclocker(in)
        Zitat von Incredible Alk
        Der Michel hat anscheinend lieber einen halb leeren RAM
        Leider ist das wirklich so:\
      • Von Incredible Alk Flüssigstickstoff-Guru (m/w)
        Zitat von PCGH_Torsten
        Bei einem laufenden Spiel Daten zu laden, die im aktuellen Level gar nicht vorkommen, kann die Leistung einfach nicht steigern. Davon würde man vielleicht 3-4 mal am Tag was merken, wenn ein Ladevorgang kürzer oder ganz ausfällt
        Das haben Entwickler ja schon mal so gemacht - bei Lords of the Fallen. Da wurde alles was passte (auch Nachfolgelevel) in den vRAM (!) geparkt wenn dieser üppig vorhanden war. Auf ner 1,5 GB-Karte problemlos flüssig machte das Spiel auch die 6 GB einer damaligen Titan oder sogar 8 GB einer (damals) Profikarte randvoll.
        Ergebnis waren wie du sagst sehr stark verkürzte Ladezeiten - und dann wurde es rausgepatcht. Warum? Weil ein halber Shitstorm im netz war der dem Spiel unterstellte man müsste extrem viel vRAM haben zum spielen und dass alles immer voll ist und so schlecht optimiert usw. - die Leute haben es einfach nicht verstanden. Der Michel hat anscheinend lieber einen halb leeren RAM und starrt auf Ladebalken.

        Klar, nur deswegen viel Geld für mehr (v)RAM auszugeben ist Unsinn - aber wenn der RAM sowieso da isn ihn nicht einfach für sowas auszunutzen auch.

        Immerhin scheint sich das über die Jahre etwas gebessert zu haben. Beispielsweise Diablo2 Resurrected klatscht mir auch die 8GB meiner 2080 nach wenigen Minuten Spielzeit komplett voll obwohl es auch mit der halben Menge problemlos läuft - mit minimal längeren Pausen bei Gebietswechseln.
      • Von PCGH_Torsten Kokü-Junkie (m/w)
        Datenbanken sind ein Musterbeispiel, weil extrem viele Daten griffbereit liegen müssen, um die wenigen tatsächlich benötigten schnell bereitstellen zu können. Wenn da jemand nicht auf mehr RAM setzt dann nur, weil die Datenbank so riesig ist, dass trotzdem die meisten Zugriffe über SSD erfolgen. Aber bei anderer Software ist das Verhältnis viel besser. Bei einem laufenden Spiel Daten zu laden, die im aktuellen Level gar nicht vorkommen, kann die Leistung einfach nicht steigern. Davon würde man vielleicht 3-4 mal am Tag was merken, wenn ein Ladevorgang kürzer oder ganz ausfällt – aber wenn Story-Zwischensequenzen diese Prozesse maskieren nicht einmal das. Also lohnt sich die Investition in mehr RAM einfach nicht. Schon gar nicht in viermal 0,5 TiB für den halben Pile of Shame – Zwei-Jahres-Prefetching?
      • Von BigBoymann BIOS-Overclocker(in)
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        Wobei ist es nicht eigentlich genau der Sinn von RAM als Massenspeicherpuffer zu dienen? Mehr Speicher macht ja bspw. bei Datenbanken total Sinn, wenn du eine 1TB Datenbank hast, ist es immer von Vorteil diese komplett in den RAM zu laden, da Randomzugriffe im Arbeitsspeicher nunmal um ein Vielfaches schneller geladen werden und man bei den meisten Datenbanken nicht weiß, welcher Zugriff wann erfolgt. Wobei seit SSDs vorhanden und bezahlbar sind, hat sich dies in meinen Augen natürlich drastisch entschlackt, vorher hatte man noch SAS Platten mit 15.000 U/min und dennoch Zugriffszeiten von über 3ms (realistisch waren es ja viel mehr, da die 3,4ms ja eher Optimistisch geschätzt würden), heute dauern die Zugriffe ja nur noch 0,03 ms also um den Faktor 100 schnellere Zeiten, dazu kommen Burstleseraten die eben im GB Bereich liegen.
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