Samsung startet Massenproduktion von 1-Gigabit-Speicherchips in 60nm
Der weltweit größte Hersteller von Speicherchips Samsung hat heute den Beginn der Massenproduktion von 1-Gigabit-DRAM-Speicherchips im 60nm-Prozess bekanntgegeben. In der Pressemitteilung spricht der Hersteller von einer um 40 Prozent gesteigerten Produktivität im Vergleich zum 80nm-Prozess und sogar von einer Verdopplung im gegenüber des 90nm-Verfahrens. Das Angebot auf Basis der neuen Chips erstreckt sich von Modulen mit 512 Megabyte bis zwei Gigabyte mit Taktraten von 667 MHz bis 800 Mhz.
Der Übergang zu Strukturen kleiner als 90nm gelang Samsung hauptsächlich durch die Herstellung von kleineren Speicherchips durch dreidimensionale Stapelung von Transistoren und der Entwicklung besserer Schaltungen sowie einer erhöhten Chipausbeute. Der Einsatz von MIM-Strukturen (Metall-Isolator-Metall) für die Kondensatoren gewährleistete eine verbessertes Speichervermögen unterhalb von 70nm-Strukturen. Weiterhin sorgte die kürzlich vorgestellte SEG-Technik (selective epitaxial growth), bei der Halbleiterschichten wie Kristalle aufwachsen, für einen breiteren Elektronen-Kanal was wiederum die Geschwindigkeit und Beweglichkeit der einzelnen Elektronen verbessert und somit zu einer geringeren Leistungsaufnahme und höheren Leistung führt.
All diese Schlüsseltechnologien sollen die Herstellung von DRAM-Zellen unterhalb von 50nm ermöglichen. Schon letzten Oktober hatte Samsung verlauten lassen das man einen 1-Gigabit-DDR2-DRAM-Chip mit 50nm-Strukturen erfolgreich hergestellt habe. Die Massenfertigung dieser Chips wird jedoch vermutlich nicht vor 2008 starten.
