Samsung startet DDR3-Speicherproduktion in 20 nm
Samsung bestätigte, dass man die Massenfertigung von DDR3-Speicher im 20-Nanometer-Verfahren gestartet hat. Hierfür wurde eigens eine neue Fabrik für 7,5 Milliarden Euro errichtet und auf Fab 16 getauft.
Der koreanische Elektronikkonzern Samsung meldet, dass man die Massenfertigung von 2-Gigabit-DDR3-Speicherpodukten im 20-Nanometer-Verfahren gestartet hat. Samsung errichtet hierzu für 7,5 Milliarden Euro (12 Trillionen Won) die Linie 16, in der im Monat 10.000 300-Millimeter-Wafer verarbeitet werden können. Nach Angaben von Samsung ist es die größte Fabrik ihrer Art. Linie 16 sei zudem so ausgelegt, dass man schon kommendes Jahr auch in 10 Nanometern fertigen könne. Sie wurde im koreanischen Hwasung, Provinz Gyeonggi-Do errichtet, gebaut wurde vom Mai 2010 bis Mai 2011. Dort betreibt man schon seit 2002 eine Produktionsstätte.
Durch das feinere Produktionsverfahren sinkt vor allem der Energieverbauch, was Samsung auch in die Lage bringt, Speichermodule mit 1,25 Volt anstelle der üblichen 1,5 Volt anzubieten. Zudem verspricht sich Samsung 40 Prozent mehr Effizienz. Neben flüchtigem Speicher sollen in Fab 16 künftig aber auch nichtflüchtige Speicher für SSDs und mobile Geräte produziert werden. Für den Endkunden muss sich der Vorteil noch zeigen. Besonders bei nichtflüchtigem Speicher für SSDs könnte die Fab 16 Preissenkungen herbeiführen.
Also wer Samsung Speicher umlabelt.
Aber schön zu sehen wie es vorran geht