DDR5 mit 16 GiBit: Samsung startet die Massenproduktion von effizienteren Speicherchips in 12 Nanometern
Samsung hat bekannt gegeben, dass das Unternehmen die Massenproduktion seines neuen in 12 Nanometern gefertigten DDR5-DRAM mit 16 GiBit hochgefahren hat. Die neuen Speicherchips ("ICs") sollen für eine deutlich höhere Effizienz und eine bessere Ausbeute pro Wafer sorgen.
Samsung Electronics und dessen Tochterunternehmen Samsung Semiconductor, welches unter anderem auch für die Speichersparte mit DDR4, DDR5, GDDR5, GDDR6 und HBM sowie LPDDR5 und LPDDR5X verantwortlich ist, haben bekannt gegeben, dass die Massenproduktion der neuen 12-nm-Speicher-ICs der 16-GiBit-Klasse hochgefahren wurde. Im Fokus stehen dabei ganz besonders effiziente Speicherbausteine für die Module von DDR5-Arbeitsspeicher.
Bis zu 23 Prozent effizienterer und DDR5-DRAM
Die neuen Speicherbausteine aus der 12-nm-Fertigung sollen dabei durch niedrigere Spannungen bis zu 23 Prozent effizienter arbeiten als bisherige ICs sowie gleichzeitig eine bis zu 20 Prozent höhere Waferproduktivität ermöglichen. Das wiederum sollte dem Hersteller ermöglichen, seine DRAM-Chips günstiger anzubieten. Auf DDR5 basierender RAM könnte so schon bald auf dem DDR4-Preisniveau landen.
Quelle: Samsung
DDR5-DRAM der 12-nm-Klasse von Samsung
Durch die feinerer Node konnte die Versorgungsspannung weiter abgesenkt und das Rauschen ("Noise") reduziert werden. Die nochmals höhere Kapazität von 16 GiBit respektive 2 Gigabyte pro Speicherbaustein führt zudem zu einem erheblichen elektrischen Potenzialunterschied in den Datensignalen, was deren exakte Unterscheidung erleichtern soll, so Samsung in einer Pressemitteilung.
DDR5 mit 7,2 GiBit/s im ersten Schritt
Die neuen Speicherbausteine sollen auf DDR5-Speicherkits mit bis zu 7.200 GiBit/s spezifizierten Modulen zum Einsatz kommen, später sind auch noch weitaus höhere Geschwindigkeiten vorstellbar. Hierfür kommt High-K Metal Gate ("HKMG") und eine 8-Lagen-TSV-Struktur ("Through-Silicon-Via-Technologie") zum Einsatz.
Quelle: Samsung
Quelle: Samsung
Diverse Varianten lässt Samsung zum aktuellen Zeitpunkt bereits durch potenzielle Kunden bemustern und zertifizieren, während die 16-GiBit-DRAM-ICs bereits zuvor gemeinsam mit AMD auf höchstmögliche Kompatibilität evaluiert worden sind.
DDR5 mit 12.600 MT/s sollen kommen
Hersteller wie ADATA haben bereits zur Einführung der neuen Speichergeneration DDR5-DRAM mit bis zu 12.600 MT/s bei einer Versorgungsspannung von 1,6 Volt in Aussicht gestellt. Derart schneller Speicherbausteine und RAM-Kits werden aber voraussichtlich frühestens zum Jahresende 2024 hin verfügbar sein.
Quelle: SK Hynix
DDR5 mit bis zu 12.600 MT/s von SK Hynix
Speicher-ICs von Samsung, Micron und SK Hynix machen aktuell den Löwenanteil am DRAM-Speichermarkt aus und werden wie CPUs und GPUs in immer feineren Strukturbreiten und Nodes hergestellt.
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Quelle: Samsung
Und von der Kernspannung war im zumsammenhang mit diesem Problem nie die Rede, Es ging rein um SOC also Speichercrontrollerspannung.
Selbst 1,3 v wäre bei meinem Board laut HW Info satte fast 30% mehr als Stock.....SOC wird mir mit 1,0x angezeigt (schwankt immer etwas).
Ist ja jetzt eigentlich auch egal, ich lass mich überraschen.
Und von der Kernspannung war im zumsammenhang mit diesem Problem nie die Rede, Es ging rein um SOC also Speichercrontrollerspannung.
Ist ja jetzt eigentlich auch egal, ich lass mich überraschen.
Das Problem bei AMD auf das du anspielst kommt daher, dass diese CPUs ausnahmslos eben weit über dem betrieben wurden was die Spec erlaubt (nämlich iirc 1,35v vIMC maximal). Und das ist nur deswegen so "schlimm", weil man den Leuten nicht ausreichend deutlich erklärt (sondern nur im Kleinstgedruckten), dass das nutzen von EXPO-Profilen nunmal ein Betreiben außerhalb der Spec ist und die Garantie damit auch erlischt. Das tut sie übrigens auch, wenn du einem 13900K etwas schnelleres als DDR5-5600 zur Seite stellst.
Das hier fasst all das gut zusammen:
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Und mit jedem bisschen mehr Volt bei gleichzeitig immer feineren Strukturen steigt das Risiko das etwas abraucht.
Die Ryzen zeigen, das dann, wenn nicht alles vom Hersteller haarklein geplant wird, nicht nur die CPU sondern sogar auch noch das Board mit abraucht.
Wenn Intel mit der Fertigung dann hinterhergehechelt ist, wer sagt dann, das es nicht auch bei denen so kommen wird? Noch haben die ja die feinsten NM noch nicht erreicht wie die Konkurenz, das mal an alle feixenden Intelfans. (ich nutze selber AM5, und mache deswegen nicht mal EXPO an im Moment).