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SOT-MRAM: TSMC und ITRI bauen schnellen, persistenten Magnetspeicher TSMC und das taiwanische Forschungsinstitut ITRI haben einen großen Fortschritt bei der Entwicklung von SOT-MRAM vermeldet. Dieser soll schnell, persistent und zudem effizienter als bisheriger MRAM sein. Es gibt aber noch einige Probleme.

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SOT-MRAM: TSMC und ITRI bauen schnellen, persistenten Magnetspeicher
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[Quelle: ITRI]

https://www.pcgameshardware.de/RAM-Hardware-154108/News/SOT-MRAM-TSMC-ITRI-Durchbruch-Speicher-schnell-persistent-1439726/galerie/3842537/
[03/02/2024] Mit der Meldung wurde auch ein Bild eines SOT-MRAM-Wafers veröffentlicht.

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