SK Hynix beginnt Serienfertigung des 1α-DRAMs
SK Hynix beginnt mit der Serienfertigung des im Januar 2021 in die Sampling-Phase gestarteten 1α- bzw. 1-alpha-DRAM. Zunächst gibt es 8 Gigabit LPDDR4-Speicher. Der Prozess soll später aber auch für LPDDR5 verwendet werden, wenn die Branche auf den neuen Speicherstandard umgestellt hat.
Nachdem SK Hynix bereits im Januar 2021 die Auslieferung der ersten Chips aus der Sampling-Phase des 1α- bzw. 1-alpha-DRAMs bestätigt hatte, folgt nun die Serienfertigung von 8 Gigabit (1 GiByte) LPDDR4-Chips basierend auf 1α, was der vierten Generation der 10-nm Prozesstechnologie entspricht. Sobald die Branche die Umstellung auf DDR5 beginnt, soll auch dieser folgen - für den verspricht SK Hynix 15 Prozent weniger Energieverbrauch als LPDDR5. Von einem Wafer will SK Hynix mit dem neuen Prozess 25 Prozent mehr Chips als bei 1z gewinnen - das soll auch der generell Verfügbarkeit von DRAM zugutekommen.
1α-DRAM hat laut den Südkoreanern eine um 40 Prozent höhere Speicherdichte als 1z-DRAM und läuft als LPDDR4 stabil mit 4.266 Mbit/s bei 20 Prozent weniger Leistungsaufnahme; 1α ist der vierte Sub-20-Nanometer-Prozess nach 1x, 1y und 1z, dürfte entsprechend nur noch geringfügig oberhalb der 10-nm-Grenze liegen. Die Kapazitäten betragen 1 respektive 2 GiByte pro Die, im Desktop-Segment mit typischerweise 8 (single-sided) bzw. 16 (dual-sided) Chips sind damit Module mit 8, 16 und 32 GiByte zu erwarten. Zuerst werden Kunden aus dem Compute-Bereich sowie Endkunden über die Marke Crucial mit den neuen DDR4-Chips versorgt.
Micron plant gemäß Pressemitteilung, die neue Fertigungstechnologie im Laufe des Jahres über das gesamte DRAM-Portfolio auszurollen und neue Produkte anzukündigen. Die Zielgruppe ist mit Rechenzentren, Client, Consumer, Industrie und dem Automobilsegment entsprechend umfangreich. Interessant: Microns Vizepräsident Sumit Sadana zufolge soll das DRAM- und NAND-Segment dieses Jahrzehnt der am schnellsten wachsende Bereich der Halbleiterindustrie darstellen.
Quelle: SK Hynix
