NEC mit Fortschritten in der MRAM-Entwicklung
Fotographie der MRAM-Zellen.
Während herkömmliche Speichertechniken wie SRAM oder DRAM Informationen elektrisch speichern, geschieht dies bei MRAM MRAM (Magnetoresistive Random Access Memory) mit Hilfe von magnetischen Ladungselementen, was den Vorteil mit sich bringt, dass Chips auf Basis dieser Technologie ihre Ladung auch ohne dauerhafte Energieversorgung behalten.
Wie das japanische Unternehmen NEC nun in einer Pressemitteilung bekannt gegeben hat, ist es gelungen zu SRAM kompatibles zu entwickeln, welches mit einem Takt von 250 MHz arbeiten kann. Laut NEC handelt es sich dabei um die höchste Arbeitsgeschwindigkeit, die mit der MRAM-Technologie bisher erreicht wurde.
Auch wenn diese Entwicklung wenig bedeutsam scheint, ist NECs Entwicklung ein weiterer kleiner Schritt zu den Stromverbrauch von mobilen Geräten wie Laptops, Handys und MP3-Playern signifikant zu senken und die Laufzeiten zu erhöhen.
