MRAM: Allianz zur Entwicklung gegründet - Massenfertigung ab 2018 erhofft
Wie die Webseite Nikkei berichtet, soll sich ein Verband aus über 20 US-amerikanischen sowie japanischen Unternehmen gebildet haben, welcher die Entwicklung von magnetoresistivem Speicher (MRAM) vorantreiben möchte. Mit Namen wie Micron, Shin-Etsu Chemical, Renesas Electronics und Hitachi hat man praktisch die komplette Produktionskette abgedeckt. 2018 soll die Technologie letztendlich auf dem Massenmarkt erscheinen.
Schon im Jahre 2006, also vor über sieben Jahren, gab es Pläne den herkömmlichen D- (Dynamic) sowie SRAM (Static) mit dem neuen MRAM (Magnetoresistive) abzulösen. Auch Flashspeicher, wie er beispielsweise in SSDs verbaut wird, sollte mit der neuen Technologie überflüssig werden. Bisher scheiterte eine für den Massenmarkt taugliche Umsetzung jedoch an den Produktionskosten, 2007 kostete ein vom Freescale produzierter 4-Mbit-Baustein in 180-Nanometer-Technik immerhin noch rund 15 US-Dollar - für einen GiByte wären also 30.720 US-Dollar fällig geworden. Noch im selben Jahr haben sich TDK sowie IBM zusammengetan, um einen kostengünstigeren Prototypen zu entwickeln, von dem man allerdings nichts mehr gehört hat. Auch NEC konnte nur ein Modell mit einer Kapazität von einem Mbit vorweisen.
Nachdem Micron und DSI A'STAR vor zwei Jahren eine Partnerschaft zur Entwicklung von MRAM eingegangen sind, haben sich nun fast alle Größen aus der Speicherindustrie zusammengetan und eine Allianz gegründet. Mitglieder seien laut Nikkei über 20 US-amerikanische und japanische Unternehmen, welche mehrere Dutzend Entwickler an die Tohoku University entsandt haben. Mit Micron, der letztes Jahr auch Elpida übernommen hat, Renesas, die ausgegliederte Halbleitersparte von NEC, sind wichtige Player des DRAM-Markts mit an Bord. Shin-Etsu und Tokyo Electron stellen Wafer respektive Werkzeuge für die Halbleiterindustrie her. Unter anderem mit Hitachi hat man sich ein Unternehmen für die letztendliche Produktion an Land gezogen. Man erwarte, dass MRAM 2017 marktreif sein werde und ein Jahr später der Endkundenmarkt bedient werden könne. Toshiba hingegen sei mit SK Hynix eine alleinige Partnerschaft eingegangen. Samsung soll hausintern an der Entwicklung beschäftigt sein.
Quelle: en.wikipedia.org
Aufbau einer MRAM-Speicherzelle
Hintergrund zu MRAM:
Magnetoresistiver Speicher (MRAM) zeichnet sich durch eine Kombination aus hoher Geschwindigkeit und Wiederbeschreibbarkeit, ähnlich DRAM, aus, ist aber, wie Flash, nichtflüchtig. So entfallen Refresh-Zyklen und Daten bleiben auch ohne dauerhafte Stromversorgung sicher gespeichert. Möglich wird dies durch Ausnutzung des magnetischen Tunnelwiderstandes. Eine Speicherzelle besteht aus zwei Magneten und einer dünnen Isolationsschicht dazwischen. Der elektrische Widerstand der Zelle hängt von der Ausrichtung der Magnetfelder zueinander ab und lässt sich somit zur Informationsspeicherung nutzen. Für Lesevorgänge muss nur eine Spannung angelegt und der Widerstand gemessen werden. Für Schreibvorgänge muss die Ausrichtung eines der beiden Magnetfelder geändert werden - ein Vorgang, der, ähnlich wie bei einer Festplatte, in sehr großer Zahl wiederholt werden kann, während sich Flashzellen bei jedem Schreibvorgang abnutzen.
Quelle: Nikkei
Achso. Den RAM muss man dann aber ja auch irgenwiebsauberhalten, sonst ist der dadurch, dass nichts verlorengeht iwann voll?
Nein. Du kannst, wie gesagt weitermachen als wäre nichts gewesen.
Du könntest etwa bei einem Notebook einfach im laufenden Betrieb den Akku entfernen, einen neuen einstecken und anschließend einfach weitermachen.
Neu booten muss man in so einem Fall ja normalerweise nur weil der Inhalt von DRAM verloren geht wenn der DRAM nicht mehr mit Spannung versorgt wird. Das Betriebssystem und alle laufenden Programme werden daher aus dem Arbeitsspeicher gelöscht und müssen bei einem Neustart neu geladen und initialisiert werden, das ist das booten.