Hynix Semiconductor lizensiert Z-RAM-Technologie
Innovative Silicon Inc. und Speicherhersteller Hynix Semiconductor, gaben heute die Lizensierung der von IS entwickelten Z-RAM-Technologie bekannt, damit Hynix diese in seinem DRAM-Chips verwenden kann. Dabei werden die Speicherzellen nicht mehr aus einer Kombination von Transistoren und Kondensatoren, sondern lediglich aus einem einzigen Transistor bestehen. Dadurch besitzt Z-RAM eine fünfmal größer als herkömmliches SRAM, während die Datendichte im Vergleich zu DRAM immerhin noch doppelt so groß ist.
Das Prinzip hinter Z-RAM ist die Ausnutzung eines Feldeffekts der bei Schaltkreisen auftritt, die im SOI-Verfahren hergestellt werden. Aufgrund der Einfachheit des Aufbaus der Speicherzellen und der Nutzung eines schon etablierten Herstellungsprozesses sowie der hohen Packungsdichte, werden wesentlich niedrigere Herstellungskosten als bisher möglich.
Z-RAM wurde eigentlich als möglichst kostengünstiger Speicher Mobiltelefone und andere elektronische Konsumgüter entwickelt. Erstmals wurde die Technologie im Dezember 2005 von AMD lizensiert, um diese in zukünftigen Mikroprozessor-Entwicklungen zu verwenden. Später gab das Unternehmen jedoch bekannt, das man die Z-RAM-Technologie nicht als Cache-Speicher für seine 65nm-Prozessoren einsetzen werde. Welche Pläne AMD nun mit der Lizenz hat ist also derzeit unklar.
