Grafikspeicher HBM2E: SK Hynix kündigt Massenproduktion an

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HBM2E: SK Hynix kündigt Massenproduktion an (1)
Quelle: SK Hynix

SK Hynix hat die Massenproduktion von HBM2E angekündigt. Der von den Südkoreanern angebotene Speicher ist bis zu 460 Gigabyte pro Sekunde schnell und kann pro Stack bis zu 16 Gigabyte an Daten fassen.

Bei SK Hynix ist die Massenproduktion von HMB2E gestartet, wie der südkoreanische Halbleiterhersteller bekanntgegeben hat. Von der Ankündigung der Entwicklung bis zur Serienreife sind so nur zehn Monate vergangen, wie man unterstreicht. Der von SK Hynix produzierte Speicher unterstützt bis zu 460 Gigabyte pro Sekunde Transferleistung und 1.024 In- und Outputs per Stack - basierend auf 3,6 Gigabit pro Sekunde per Pin. Zur Verdeutlichung errechnete man eine Transferleistung von 124 Full-HD-Filmen mit jeweils 3,7 Gigabyte pro Sekunde, die der Speicher in einer Sekunde durchschleusen könnte. Die Speicherdichte liegt bei bis zu 16 GB per Chip, indem 16 Gb achtfach gestapelt werden - via TSV (Through Silicon Via).

HBM2E soll auf der einen Seite die Geschwindigkeiten deutlich erhöhen, auf der anderen Seite wurde die mögliche Speicherdichte pro Chip verdoppelt. Positive Nebeneffekte sind die geringere Leistungsaufnahme. In Grafikkarten für Konsumenten wird man den Speicher aber vorerst nicht sehen, da er hierfür schlichtweg zu teuer ist. Der Fokus liegt auf Modellen, die in Serverschränken verschwinden und da unter anderem KI-Berechnungen durchführen, eines der zurzeit liebsten Themen der Branche - Deep Learning und High Performance Computing sind die kommunizierten Schlagworte.

Für Nvidias Ampere, AMDs Navi und Intels Xe gab es immer wieder Spekulationen um HBM2E, die sich aber nie manifestierten. Samsung hatte im Februar angekündigt, HBM2E mit bis zu 538 Gigabyte pro Sekunde produzieren zu wollen. All diese Speicher werden irgendwann zum Einsatz kommen, aber eben nicht einmal unmittelbar jetzt für Rechenzentren. Der A100 von Nvidia setzt erst einmal weiter auf HBM2; möglicherweise gibt es später im Produktzyklus ein Upgrade, das dann auch das Interesse an solchen Karten auffrischen kann.

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    • Kommentare (7)

      Zur Diskussion im Forum
      • Von Ru3bo Komplett-PC-Aufrüster(in)
        Es spricht jeder von GDDR6 bei der PS5 und Xbox Series X. Ich glaub es schon offiziell, dass die PS5 GDDR6 nutzen wird.
      • Von Ru3bo Komplett-PC-Aufrüster(in)
        Es spricht jeder von GDDR6 bei der PS5 und Xbox Series X. Ich glaub es schon offiziell, dass die PS5 GDDR6 nutzen wird.
      • Von Cybnotic Freizeitschrauber(in)
        Gab es da nicht mal ein Sony Gerücht das die für ihre neue Spielekonsole sich günstig solchen Speicher gesichert hatte ?
      • Von Tolotos66 Lötkolbengott/-göttin
        Könnte aber doch trotzdem zu den Launches von Ampere und BigNavi passen. Meine Mittelklassekarte besitzt ja schon HBM2. Mal ab vom Preis, bietet HBM schon Vorteile gegenüber GDDR.
        Gruß T.
      • Von eclipso
        Sie setzen es in Anführungsstriche weil es HBM2 der v2 Gen ist, mit höherem Durchsatz und größerer Kapazität pro Stack. Sonst wäre 5X und 6X auch nur reines Marketing.

        Es bedeutet also, dass man den schnellsten Speicher fertigt und darauf ist man zugegebener Maßen stolz.
      • Von gerX7a BIOS-Overclocker(in)
        Konkret ist "HBM2E" nur ein Marketingname um die Produkte etwas von den bisherigen Modulen absetzen zu können. Die Bezeichnung wurde ursprünglich mal von Samsung eingeführt und dann mehr oder weniger konsistent von den anderen Speicherherstellern übernommen. *)
        Die aktuelle JEDEC-Spezifikation JESD235C spricht weiterhin schlicht von HBM2 (und darauf wird später HBM3 folgen und nicht etwa HBM2F, HBM2X oder ähnliches ) In den letzten beiden Revisionen wurden im Wesentlichen die Pro-Pin-Geschwindigkeit und die Anzahl der Lagen erhöht. Bei ersterem gehen die Hersteller schon über die Spezifikation (3,2 Gbps) hinaus, bei letzterem verbleibt man herstellerseitig aktuell noch bei maximal 8 Lagen, während die Spezifikation bis zu 12 Lagen definiert, die per TSVs durchzukontaktieren sind. (Entsprechend sind mit 16 Gb-Chips bis zu 24 GiB pro Modul/Stack möglich.) Und da es weiterhin HBM2 ist, ist er entsprechend auch kompatibel. Samsung hat bereits 12 Lagen-Module angekündigt, die weiterhin 750 Mikrometer hoch sein sollen, wie auch die bestehenden Module.

        *) Entsprechend setzt SK Hynix diese Bezeichnung in seiner offiziellen Ankündigung auch in Anführungsstriche:
        SK hynix Starts Mass-Production of High-Speed DRAM, "HBM2E" | SK hynix Newsroom
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