Forschung: Neue Produktionsmethode für ultra-dünne Transistoren
Die Cornell University hat ein neues Verfahren zur Produktion von ultra-dünnen Transistoren erforscht. Die Bauteile mit der Abkürzung TDM weisen eine Dicke von drei Atomen auf und können dank der langjährigen Forschung erstmals marktreif produziert werden. Besonders für Speicherdichten ist diese Art von Transistor extrem interessant.
Mit dem Wachsen der heutigen Datenmenge stellen sich Forscher und Technikexperten immer wieder die Frage, auf welche Hilfsmittel zurückgegriffen werden sollte, um die stetig steigende Nachfrage nach immer größeren Speichern zu stillen. Nun ist es der Cornell University in Ithaca, New York gelungen, die sogenannten Transition Metal Dichalcogenide, sprich Transistoren aus Chalcogenid-Verbindungen, erstmals marktreif zu produzieren.
Durch die Dicke von gerade mal drei Atomen war es bisher fast unmöglich, ausreichende Mengen der TMDs herzustellen. Ähnlich wie Graphen könnten die Transistoren im Zusammenhang mit der verbauten Elektronik neue Maßstäbe in Sachen Speicherdichte setzen. Aufgrund der geringen Dicke und der hohen Leitfähigkeit werden TDMs laut Saien Xie, Mitarbeiter an den Forschungen, in elektronischen Schaltungen eine große Rolle spielen.
Aus rund 200 produzierten Transistoren wurden gerade mal zwei Stück beschädigt, was einer Erfolgsquote von 99% entspricht. Das Verfahren beruht auf einer Mixtur von Diethylsulfiden sowie Hexacarbonylen, die 26 Stunden lang in Wasserstoff-Gas gebacken wird. Zwar ist die Produktionsmethode derzeit schon ausgereift, bis es aber wirklich im alltäglichen Gebrauch ankommen wird, werden voraussichtlich noch einige Jahre vergehen.
Quelle: nature.com
