TSMC 5nm-Fertigung bringt nur moderate Verbesserungen

Auftragsfertiger TSMC hat im Zuge eines speziellen Events die ersten Details über die eigene 5nm-Fertigung bekanntgegeben, die ungefähr um 2020 herum zum Einsatz kommen soll und CLN5 getauft wurde, wie anandtech.com berichtet.

Bei dem Fertigungsprozess wird auch EUV-Lithografie, also extrem ultraviolette Strahlung, zum Einsatz kommen, um die Transistordichte wesentlich zu erhöhen. Genauer um den Faktor 1,8. Dadurch erreicht TSMC laut eigenen Angaben mit CLN5 eine Flächenreduktion von 45 Prozent gegenüber der originalen 7nm-Fertigung CLN7FF. Moderat zeigen sich Performance-Zuwachs und gesunkener Stromverbrauch. Hier besteht die Wahl zwischen einem gegenüber 7nm um 15 Prozent höherem Takt bei gleicher Komplexität und Stromverbrauch oder 20 Prozent verringertem Stromverbrauch bei gleicher Komplexität und Takt. Optional, aber noch nicht wirklich erläutert, hat TSMC auch die Option einer Extremely Low Threshold Voltage (ELTV) im Angebot, wodurch die Taktfrequenz der Chips um 25 Prozent gesteigert werden kann.

Der Bau der Fab 18 für die 5nm-Fertigung ist unlängst zu Beginn des Jahres gestartet und markierte den Start der ersten von insgesamt drei Phasen. Mit Abschluss von Phase 1 Anfang 2020 soll auch die Massenfertigung beginnen, die mit Phase 2 und Phase 3 bis 2021 noch weiter ausgebaut wird. Zuvor startet jedoch die verbesserte 7nm-Fertigung CLN7FF+. Noch vor CLN5 kommt hier EUV-Lithografie zum Einsatz, allerdings nur bei unkritischen Schichten, denn noch sind die verwendeten Geräte nicht vollends für den kommerziellen Einsatz bereit, wie es von TSMC heißt.

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TSMC 5nm-Fertigung bringt nur moderate Verbesserungen Der taiwanesische Auftragsfertiger TSMC hat Details zu den Verbesserungen der eigenen 5nm-Fertigung vorgestellt. Während die Chipfläche deutlich schrumpft, halten sich Takt-Plus und gesunkener Stromverbrauch allerdings in Grenzen.

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