Geforce RTX 5000 & Radeon RX 8000: Keine Überraschungen beim GDDR7-Speicher?
Für die Geforce RTX 5000 und die Radeon RX 8000 erwartet man keine überraschenden Änderungen beim Speicher. Der Hintergrund sei, dass die Einführung der ersten Generation von GDDR7 maßgeblich auf Modulen mit 16 Gb bzw. 2 GiB basieren wird.
Laut ersten Leaks wird die nächste Grafikkarten-Generation mehrheitlich bei 16 GiB Speicher bleiben. Hintergrund sei, dass die Einführung der ersten Generation von GDDR7 maßgeblich auf Modulen mit 16 Gb bzw. 2 GiB basieren wird, die 32 GT/s schnell sind. Langfristig sind zwar Module bis 64 Gb oder 8 GiB sowie 48 GT/s vorgesehen, aber die soll es nicht zum Start geben. Durch die Modulgrößen und Busbandbreiten dürften sich dann die weiteren Modelle der kommenden Generation ergeben, die dann nicht so überraschend sein dürften.
Mehr Bewegung wird erst mit der zweiten Generation von GDDR7 erwartet, wo dann auch Chips mit 3, 4, 6 und 8 GiB angeboten werden sollen, die mehr Spielraum bei der Konfektion lassen - ein 3-GiB-Chip ließe auch aus jetziger Sicht eher ungewöhnliche Kombinationen zu. Was davon dann tatsächlich in Serienfertigung geht, ist aber oft eine Sache der Nachfrage. Bei GDDR6X wurden exemplarisch die 1,5-GiB-Chips nie in großen Mengen produziert.
Micron plant aber im Moment mit 3-GiB-Modulen, womit man zum Beispiel 24 GiB Gesamtkapazität mit weniger Modulen erreichen könnte. Durch die höhere Bandbreite wäre auch ein schmaleres Speicher-Interface ein Stück weit auszugleichen. Bei einem 256 Bit breiten Speicherbus kommt GDDR6X auf 768 GB/s und GDDR7 auf 1.024 GB/s. Für die GPU-Hersteller eröffnet dies Designspielräume.
Erstmals werden die GDDR7-Speichermodule auf der Geforce RTX 5000 erwartet. Interessant dürfte dabei vor allem werden, mit welchen Speichermengen Nvidia, aber auch AMD, ein Stück weit antreten wollen. 8 und 12 GiB dürften es zunehmend schwerer haben und nur noch für Einsteigerkarten interessant sein. Es wäre aber wohl auch nicht überraschend, wenn Nvidia an "komischen" Speichergrößen festhält.
Quellen: 3DCenter, AnandTech, X/Twitter (Kopite7Kimi)
Für 3nm kündigt TSMC eine Dichte von 215 Millionen Transistoren pro Quadratmillimeter an. Der Nvidia Richtwert wären demnach so um die 175. Ein 300mm² Chip wie es die 4070 Serie ist, würde dann bei der RTX50 Serie bei ca. 51 Milliarden Transistoren landen, das ist im Bereich der 4080, selbst wenn man wegen besserem Ertrag 10% vom Chip abschaltet.
Die 4080 hat einen 256Bit Speicherbus, aber der Gag an GDDR7 ist je gerade, dass es mehr Leistung durch den Speicherbus bekommt. Das wird der gleiche Sprung wie von GDDR5 auf GDDR6, wo plötzlich ein 256Bit GDDR6 Bus so gut war wie ein GDDR5 Bus mit 512 Bit. Daher könnte es sein, dass Nvidia den Speicherbus der 70er Serie auf 128Bit eindampft, weil es nicht mehr braucht.
Der zweite Teufel im Detail ist, dass GDDR7 anfangs eher im Bereich von 32Gbps liegen wird und nicht 42Gbps. Das sind trotzdem 30% mehr als die 4080 hat. Nvidia könnte an den Punkt kommen, an dem die 5070 ein 300mm² Chip ist der zu 25%-33% deaktiviert ist und trotzdem eine Leistung wie eine 4080 hat.
Ich behaupte nicht zu wissen, dass es so kommt, aber die Daten die von TSMC zu 3nm bereitgestellt werden, die Daten von den GDDR RAM Herstellern und die Eigenschaften von RTX40 auf dem jetzigen TSMC Prozess lassen diese Schlüsse zu, besonders weil TSMC 3nm nicht etwas komplett neues von ASML ist, sondern eine weitere Evolutionsstufe von EUV. Was Nvidia daraus macht bleibt Nvidia Sache und der Druck von AMD das meiste rauszuholen ist nicht so hoch.