[27/07/2021] Intel Accelerated 2021 presentation Seite 30
Gate-All-Around-FETs sind im Prinzip Finnen mit seitlich geätzten Durchbrüchen, was große Anforderungen an die nur senkrecht von oben arbeitende Fertigung stellt. Vor Nanosheets/RibbonFETs werden deswegen allgemein Nanowires geringer Breite erwartet, aber Intel überspringt diesen Schritt.
![[27/07/2021] Intel Accelerated 2021 presentation Seite 30 Gate-All-Around-FETs sind im Prinzip Finnen mit seitlich geätzten Durchbrüchen, was große Anforderungen an die nur senkrecht von oben arbeitende Fertigung stellt. Vor Nanosheets/RibbonFETs werden deswegen allgemein Nanowires geringer Breite erwartet, aber Intel überspringt diesen Schritt.](/screenshots/1280x1024/2021/07/Intel-Accelerated-2021-presentation_Seite_30-pcgh.jpg)
