TSMC plant kostengünstige 12-Nanometer-Fertigung
Der drittgrößste Halbleiterhersteller der Welt, TSMC, will laut Berichten der asiatischen Webseite DigiTimes.com eine Fertigung in einem neuen 12-nm-Verfahren anbieten. Eigentlich handelt es sich hierbei um die vierte Ausbaustufe der 16-nm-FinFET-Fertigung, aber aus Marketinggründen soll die Bezeichnung geändert worden sein. Der neue Prozess soll eine Verringerung von Leckströmen und Kosten zur Folge haben.Artikel teilen
Die Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, besser bekannt unter dem Akronym TMSC, plant die Fertigung in einem neuen 12-Nanometer-Verfahren. Dies will DigiTimes von Quellen aus der Industrie erfahren haben. Bei der 12-Nanometer-Fertigung handelt es sich aber nicht um ein neu entwickeltes Verfahren, stattdessen soll es sich um eine weitere Version der 16-nm-Fertigung handeln, welche laut DigiTimes verkleinert wurde. Ursprünglich sollte das neue Verfahren als vierter Prozess für die 16-nm-Fertigung angeboten werden, jedoch entschied man sich für die Vermarktung als Fertigungsprozess in 12 Nanometern Strukturbreite. Der neue Prozess soll die Leckströme reduzieren und kostengünstiger als bisher sein.
TSMC hat mit dem ursprünglichen 16FF (FinFET), dem verbesserten 16FF+ (FinFET Plus) und dem verkleinerten 16FFC (Compact) drei Fertigungsverfahren in der 16 nm Strukturbreite vermarktet, auch wenn keiner dieser Prozesse tatsächlich Ergebnisse in dieser Strukturbreite produziert. Stattdessen entstand diese Bezeichnung - wie auch bei der Konkurrenz - durch Umrechnung von Nodes und Halfnodes bei Die-Shrinks. Für die Implementierung von Chips in einer 28-nm-Strukturbreite bot TSMC insgesamt sechs verschiedene Verfahren an.
Auch die Konkurrenten von TMSC entwickeln günstige Prozesse ähnlich dem 12-nm-Prozess. Samsung plant die Fertigung von 10LPC (Low Power Compact) für Chips mit niedriger Leistungsaufnahme. Globalfoundries hat dieses Jahr die Entwicklung von 22FDX und 12FDX angekündigt; zwei Verfahren, welche auf der FD-SOI-Technologie (Fully Depleted Silicon-on-Insulator) der hauseigenen 28-nm-Verfahren basiert. Diese sollen günstiger sein als FinFET-Chips in 14-nm-Fertigung, und im Fall von 12FDX dabei aber höhere Taktbarkeit und niedrigere Leistungsaufnahme bieten. Auch in Dresden sollen die 22FDX- und 12FDX-Chips hergestellt werden. Laut Golem.de sollen diese Verfahren aber trotz des Namensschemas nicht mit den 22-nm- und 10-nm-FinFET-Verfahren von Intel vergleichbar sein.
Neben dem 12-Nanometer-Verfahren bietet TSMC auch für High-End-Produkte in Zukunft mehrere 10-nm- und 7-nm-Fertigungsverfahren an. Produkte hergestellt durch letzteres Verfahren sollen schon nächstes Jahr an Kunden ausgeliefert werden, die Serienproduktion in 10 Nanometern lief bereits dieses Jahr an. Die 10-nm- und 7-nm-Fertigungen basieren auf Immersionslithographie. Ein 5-nm-Produktionsverfahren basierend auf extremer ultravioletter Strahlung ist für 2020 geplant. Im gleichen Jahr wollen laut DigiTimes kleinere Hersteller wie die chinesischen Firmen Semiconductor Manufacturing International (SMIC) und Shanghai Huali Microelectronics (HLMC) auch im 14-nm-Marktsegment agieren.
Quelle: Golem.de, DigiTimes.com
Kommentare (7)
Zur Diskussion im Forum-
Von sgdJacksy Freizeitschrauber(in)AW: TSMC plant kostengünstige 12-Nanometer-Fertigung
i.d.R. sollte der Gate-Pitch bei 10nm real ca. 68-65nm betragen und bei 7 dann genau 50nm.
Wenn man die richtigen Zahlen kennt verwundert es dann auch nicht, dass bei einem Die-Shrink die Leistung nur maximal 15% steigt.
i.d.R. sollte der Gate-Pitch bei 10nm real ca. 68-65nm betragen und bei 7 dann genau 50nm.
Wenn man die richtigen Zahlen kennt verwundert es dann auch nicht, dass bei einem Die-Shrink die Leistung nur maximal 15% steigt.
Mitnichten
Die angaben gelten für die Schablone beim belichten
und die Schablone wird mit nen 14 oder 16nm feinen Laser gebrannt
Die Belichtung geht dann normal mit infrarot Spektrum. Ultra violett Belichtung (ULV) ist der nächste schritt.
Aber die nm angaben haben an die realen nm abstände auf dem DIE nur bedingt zu tun. Weil eben mehrfach belichtet Bereiche größer sind.
kann sogar sein das die x86 core nur so klein sind und der Rest deutlich größer weil mehr Strom dadurch fließt.
bsp fpu
ich würde sogar behaupten das mit aktuell 14nm Schluss ist. 10nm werden möglich sein aber 7nm auf keinen Fall.
oder sie wechseln zu ulv verfahren.
Dabei ist NICHTS an der GPU oder CPU auch nur im Ansatz in 14nm oder sonst was.
Ich dachte immer das die Angaben der Strukturgrößen auch reell sind.
Seid 90nm ist das alles nur noch augenwischerei und es glauben leider immer noch viel zu viele Leute das es die echte angebe ist!
Dabei ist NICHTS an der GPU oder CPU auch nur im Ansatz in 14nm oder sonst was.