Intel: CEO spricht über 10-nm- und 7-nm-Fertigungsprozess
Intels Serienproduktion in 10 nm verschiebt sich auf 2019, das verkündete das Unternehmen bereits Ende April. In einer aktuellen Konferenz sprach Intel CEO Krzanich über den aktuellen Stand der Dinge. Dabei reißt er die Gründe für die Verzögerung an und verspricht, dass sich dies beim 7-nm-Prozess nicht wiederholen wird.
In einer kürzlich abgehaltenen Aktionärskonferenz sprach Intel CEO Brian Krzanich über den 10-nm-Fertigungsprozess und gab Aussichten auf die Fertigung in 7 nm. In Bezug auf Ersteren ging es um den aktuellen Stand der Dinge.
Lieferungen beschränken sich derzeit auf ein niedriges Volumen, hieß es und die Ausbeute sei nicht so stark gestiegen, wie man es sich ursprünglich vorgestellt hat. Eine hohe Ausbeute und Kosteneffizienz sei das aktuelle Ziel, das man bislang noch nicht erreichen konnte. Deshalb habe man in einem vorigen Finanzbriefing darüber gesprochen, die Produktion herunterzufahren. "Wir können das machen, da unsere 14-nm-Technologie sehr stark ist", so Krzanich. Mit dieser möchte man zunächst auch weiterfahren, bis sich die Ausbeute des 10-nm-Fertigungsprozesses auf ein akzeptables Niveau erhöht. Damit rechne man derzeit für den Jahreswechsel. 2019 soll es soweit sein.
Die Schwierigkeiten bei der Produktion führt Krzanich auf zwei wesentliche Aspekte zurück. So verzichtet man etwa auf EUV-Lithografie und nutzt einen "aggressiveren" Skalierungsfaktor. Die deutliche Schrumpfkur unter Verzicht auf EUV habe Intel vor zahlreiche Probleme gestellt. Probleme, auf die man beim nachfolgenden 7-nm-Fertigungsprozess verzichten wolle. Laut Krzanich werden man wieder auf einen Intel-üblichen Skalierungsfaktor zurückgehen und zudem auf EUV setzen. "Wir haben solchen Veränderungen vorgenommen, um 7 nm deutlicher wie unsere aktuellen technologischen Innovationen zu gestalten. Deshalb sind wir davon überzeugt, dass die meisten der Probleme, die sich aus dem 10-nm-Fertigungsprozess ergeben haben, sich nicht wiederholen."
Die ersten Prozessoren, die im hauseigenen 10-nm-Prozess gefertigt werden, wollte Intel ursprünglich bereits 2015 ausliefern. Mittlerweile hat sich der geplante Start der Serienproduktion auf 2019 verschoben. Derzeit setzt das Unternehmen zunächst auf den Versand von 10-nm-CPUs in Kleinserie. Der erste Ausläufer wurde in Form des Core i3-8121U bereits gesichtet und ist auch in der Ark-Datenbank von Intel zu finden. Verbaut wird die CPU mit zwei Kernen und vier Threads in Notebooks und NUCs. Auf eine iGPU wird allerdings verzichtet.
12x Undervolting: i7-7700K, i7-6700K, i7-7800X, i5-7600K, Ryzen 7 1800X, Ryzen 7 1700, Ryzen 5 1600 und mehr
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Man hat Probleme, die EUV-Belichtung in den Griff zu bekommen und das liegt an den optischen Eigenschaften von EUV. Mit einer halbwegs geeigneten Lichtquelle ist es noch nicht getan, man braucht auch Optiken (wegen dem nicht-axialen Aufbau sehr aufwendig, aber beherrschbar), Lacke und Masken nebst Zubehör. Und das könnte mit ein Faktor für die Verzögerung bei Intels 10-nm-Prozess sein, denn andere Hersteller planen für ihre vergleichbaren 7-nm-Nodes mit EUV (in Großserie arbeitet meinem Wissen nach noch niemand damit) und auch Intel hat vor einigen Jahren noch darüber gesprochen, während jetzt wieder 193-nm-SAQP das schwer mögliche möglich machen soll.
Allgemein wird im Moment von einem fließenden Übergang ausgegangen: SAQP schränkt die Strukturmöglichkeiten ein und ist chemisch komplex, also teuer. LE4 braucht enorm viele Belichtungen und ist somit fehleranfällig, also teuer. EUV hat große Probleme mit Verunreinigungen respektive Haltbarkeit und ist langsam, also teuer. Am Ende läuft es also immer auf den Preis hinaus und irgendwann in einer vermutlich nahen Zukunft werden wenige EUV-Belichtungen trotz aller Probleme weniger Ausschuss produzieren, als x-faches Litho-Etch mit 193 nm. Und in 10 Jahren wiederholt sich das Spielchen dann mit SA?P in EUV.
Die aktuelle Leistung des Lichts (wie oben geschrieben erzeugt durch ein Zinnplasma) liegt bei etwa 125Watt...erreichen will/muss man an die 250Watt, um einigermaßen einen Durchsatz an Wafer/h zu erreichen.
Apropos Auschuss...aktuell ‚quält‘ man sich wohl mit Stochastischen Problemen beim Belichten
https://www.eetimes.com/d...
Sicherlich hat Intel mit ihrem 10nm Prozess gegenüber TSMC/Glofo’s 7nm noch einen kleinen Vorteil, aber der große Fertigungsvorsprung, den Intel seit Ewigkeiten inne hatte, ist nun endgültig Geschichte. Es wird richtig spannend werden!
Es gab sicher gute Gründe die optische Methode derart auszureizen, und das waren sicher die Probleme mit EUV. Also sind diese trotz des Durchbruchs bei der Strahlenquelle noch schwerwiegender als die ganzen Tricks die man anwenden muss, um mit einer 193nm Lichtquelle Strukturen unterhalb von 10nm zu fertigen. Oder gehts dann mit X-Ray los? Da werden die Probleme auch nicht verschwinden?
Und warum hat man das dann bei der 10nm Fertigung nicht auch so gemacht, Downgrade bei der Litho, nachdem klar wurde das dies alles ein wenig schwierig wird?
Also mich kann das jetzt weniger beruhigen, was der nette intel-Chef da erzählt. Löst eher komplettes Unverständnis aus. Was machen die anderen Halbleiter-Hersteller eigentlich so, die arbeiten alle wohl noch mit 193nm ArF-Excimerlaser?
Man hat Probleme, die EUV-Belichtung in den Griff zu bekommen und das liegt an den optischen Eigenschaften von EUV. Mit einer halbwegs geeigneten Lichtquelle ist es noch nicht getan, man braucht auch Optiken (wegen dem nicht-axialen Aufbau sehr aufwendig, aber beherrschbar), Lacke und Masken nebst Zubehör. Und das könnte mit ein Faktor für die Verzögerung bei Intels 10-nm-Prozess sein, denn andere Hersteller planen für ihre vergleichbaren 7-nm-Nodes mit EUV (in Großserie arbeitet meinem Wissen nach noch niemand damit) und auch Intel hat vor einigen Jahren noch darüber gesprochen, während jetzt wieder 193-nm-SAQP das schwer mögliche möglich machen soll.
Allgemein wird im Moment von einem fließenden Übergang ausgegangen: SAQP schränkt die Strukturmöglichkeiten ein und ist chemisch komplex, also teuer. LE4 braucht enorm viele Belichtungen und ist somit fehleranfällig, also teuer. EUV hat große Probleme mit Verunreinigungen respektive Haltbarkeit und ist langsam, also teuer. Am Ende läuft es also immer auf den Preis hinaus und irgendwann in einer vermutlich nahen Zukunft werden wenige EUV-Belichtungen trotz aller Probleme weniger Ausschuss produzieren, als x-faches Litho-Etch mit 193 nm. Und in 10 Jahren wiederholt sich das Spielchen dann mit SA?P in EUV.
Ne hast ja Recht, dann eben Big "I"