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3-nm-Fertigung mit GAAFETs soll sich bei Samsung bis 2024 verzögern Laut ursprünglichen Plänen von 2019 sollte Samsungs erste Halbleitermassenproduktion mit "Gate-All-Around"-Feldeffektransistoren (GAAFETs) und 3-Nanometer-Strukturbreite bereits in diesem Jahr anlaufen. Nun ist jedoch von allerfrühestens 2023 die Rede.

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3-nm-Fertigung mit GAAFETs soll sich bei Samsung bis 2024 verzögern
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[Quelle: Samsung]

https://www.pcgameshardware.de/Wissenschaft-Thema-237118/News/Samsung-3-nm-Fertigung-GAAFETs-verzoegern-sich-2024-1374934/galerie/3380538/
[08/04/2020] 3-nm-Fertigung mit GAAFETs soll sich bei Samsung bis 2024 verzögern

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