Samsung-Flash-Speicher: Neue Chips der sechsten Generation sind kleiner, schneller und sparsamer
Samsung stellt den 3D-Flash-Speicher in der sechsten Generation vor. Der Hersteller selbst spricht von 10 Prozent mehr Geschwindigkeit und eine um mehr als 15 Prozent bessere Energieeffizienz. Dabei konnten die Layer auf 136 erhöht werden, die Kapazität pro Die bleibt aber gleich. SSDs, die mit dem neuen 3D-NAND-Speicher ausgestattet werden, sollen schneller und energieeffizienter sein.
Die vertikal gestapelten Zellschichten des Flash-Speichers V-NAND der sechsten Generation werden nun in Großserie gefertigt. Der neue vertikale NAND hat 136 Layer bei einer Kapazität von 256 Gigabit pro Die. Im Vergleich mit der aktuellen fünften Generation verspricht sich Samsung eine höhere Geschwindigkeit und eine bessere Effizienz. Im neuen Speicher bestehen die meisten Schichten aus Zellen mit drei Bit wobei auf Triple Level Cell gesetzt wird. Das Logik-Die ist eine der 136 Layer und befindet sich nun unter dem eigentlichen NAND-Stack. Laut Samsung sollen die Latenzzeiten für Lese- und Schreibzugriffe mit 45 Mikrosekunden und 450 Mikrosekunden sehr niedrig ausfallen. Zudem sollen die Chips kleiner sein und weniger Fertigungsschritte benötigen. So steigen die Performance und die Ausbeute bei der Fertigung.
Mehr Leistung und aktuell keine QLC-Version
Zukünftig soll es auch eine Version mit 512 Gigabit Kapazität pro Die geben. Auch hier sind drei Bit pro Zeile vorgesehen. Allerdings wird es vorerst nur 3D-NAND-SSDs mit TLC geben, von Versionen mit Quad Level Cell ist bisher keine Rede. Als 3D-NAND auf den Markt kam wurde die Single Level Cell benutzt, bei der ein Bit auf einer Speicherzelle gespeichert werden konnte. Dementsprechend ermöglicht die Quad Level Cell-Architektur, vier Bit pro Speicherzelle zu speichern. Das führt zu höherer Speicherkapazität der Zelle. Allerdings ist die Validierung der Zellen schwieriger, je mehr Bits darauf gespeichert sind. So kann darunter die Haltbarkeit leiden. Zudem sind deutlich weniger Schreibvorgänge bei der QLC-Architektur möglich, als bei der TLC-Version. Aktuell hat Samsung keine QLC-Variante angekündigt.
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Fakten zur sechsten Generation der 3D-NAND-Speicherzellen von Samsung:
- Samsung hat nun die sechste Generation des 3D-NAND-Speichers vorgestellt.
- Dabei passen nun 136 Layer darauf statt wie bisher 96.
- Es wird bisher bei der sechsten Generation nur noch auf Triple Level Cell gesetzt.
- Insgesamt sollen SSDs mit der sechsten Generation 3D-NAND um 10 Prozent schneller sein und um mehr als 15 Prozent effizienter.
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