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Samsung: Besserer NAND-Speicher dank Bornitrid Samsung experimentiert mit einer Bornitrid-Schicht in NAND-Speicherzellen, um deren Ansteuerungsverhalten zu verbessern. Das könnte in Zukunft eine weitere Skalierung und damit eine höhere Speicherdichte erlauben.

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NAND-Flash: Samsung will Speicherzellen mit Bornitrid kleiner und besser machen
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[Quelle: SK Hynix und Micron]

https://www.pcgameshardware.de/SSD-Hardware-255552/News/NAND-Flash-Samsung-Speicherzellen-Bornitrid-kleiner-besser-1462048/galerie/3520670/
[25/06/2021] Bei Charge-Trap-Flash werden Elektronen in einer von Oxidschichten umgebenen Zone aus Siliziumnitrid gespeichert.

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