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Samsung: Besserer NAND-Speicher dank Bornitrid Samsung experimentiert mit einer Bornitrid-Schicht in NAND-Speicherzellen, um deren Ansteuerungsverhalten zu verbessern. Das könnte in Zukunft eine weitere Skalierung und damit eine höhere Speicherdichte erlauben.

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NAND-Flash: Samsung will Speicherzellen mit Bornitrid kleiner und besser machen
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[Quelle: Samsung]

https://www.pcgameshardware.de/SSD-Hardware-255552/News/NAND-Flash-Samsung-Speicherzellen-Bornitrid-kleiner-besser-1462048/galerie/3958203/
[20/12/2024] Durch die Bornitrid-Barriere sollen Elektronen nah am Tunneloxid eingefangen werden. Ohne Barriere bliebe dieser Bereich nahezu ungenutzt.

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