SSDs: Micron präsentiert 3D NAND-Flash mit 176 Schichten
Pünktlich zur in diesem Jahr virtuell abgehaltenen Fachmesse "Flash Memory Summit" hat Halbleiterhersteller Micron seine fünfte Generation von 3D-NAND-Flash-Speicher mit rekordverdächtigen 176 Schichten für SSDs angekündigt.
Der neue 176-Layer-NAND von Micron unterstützt eine Übertragungsgeschwindigkeit von 1.600 MT/s an der Schnittstelle gegenüber 1.200 MT/s bei den 96L- und 128L-Vorgängern und soll Lese- und Schreiblatenzzeiten um über 35 Prozent respektive 25 Prozent verbessern. Zudem wird eine Verbesserung bei gemischten Workloads von insgesamt etwa 15 Prozent im Vergleich zu den hauseigenen UFS 3.1-Modulen mit 96L-NAND angegeben.
Während einige technische Details über das neue Produkt noch zurückgehalten werden und Ende des Monats folgen sollen, handelt es sich laut einem Bericht von anandtech.com bei den ersten 176L-Produktionen um 512-Gbit-TLC-Chips, die unter Verwendung von String-Stacking von zwei 88-lagigen Decks gebaut wurden. Micron scheine demnach jetzt am Markt hinter Samsung an zweiter Stelle zu stehen, was die Anzahl der Schichten von NAND-Flash-Speicherzellen betrifft, die gleichzeitig hergestellt werden können, und an erster Stelle, was die Gesamtzahl der Schichten auf einem Chip betrifft.
Dünn und kleiner als die Konkurrenz
Dabei soll die Umstellung auf ein Ersatz-Gate/Charge Trap-Zellendesign eine deutliche Verringerung der Schichtdicke ermöglicht haben: Die 176L-Chips sollen 45 µm dick sein, was ungefähr der Gesamtdicke von Microns 64L-Floating-Gate-3D-NAND entspricht. Ein gestapeltes 16-Die-Package mit einer Dicke von weniger als 1,5 Millimeter eignet sich beispielsweise für die meisten Anwendungsfälle von Smartphones und Speicherkarten.
Wie bei früheren Generationen von Micron 3D-NAND soll die Peripherielogik des Chips überwiegend unter den NAND-Speicherzellenstapeln hergestellt werden, was Micron "CMOS under Array" (CuA) nennt. Dies hat Micron laut Anandtech.com wiederholt geholfen, einige der kleinsten Die-Größen zu liefern, und der Hersteller schätzt, dass ihr 176L-512-Gbit-Die etwa 30 Prozent kleiner als das derzeitige Top-Angebot der Konkurrenz ist.
Verbreitung für nächstes Jahr erwartet
Unterdessen soll Micron bereits mit der Volumenproduktion begonnen haben und der neue Speicher auch bereits in einigen SSD-Produkten der Marke Crucial für Endverbraucher ausgeliefert werden. Micron hat jedoch bisher nicht erläutert, welche genau, weswegen derzeit nur von geringen Mengen ausgegangen wird.
Der neue 176-Layer-Flash-Speicher ist die zweite Generation, die seit der Auflösung von Microns Speicher-Kooperation mit Intel entwickelt wurde und auf sogenannte Charge-Trap-Zellen statt auf ein Floating-Gate-Speicherzellendesign setzt. Zuletzt verfügte die aktuelle Generation über ein Design mit 128 Schichten vornehmlich zur Erprobung des neuen Zellendesings, das bisher nur minimal auf dem Markt vertreten war, so dass der neue 176L-Flash wohl vielen Fällen auch als Nachfolger des 96L-3D-NAND dienen wird. Im nächsten Jahr sei daher voraussichtlich in größeren Mengen mit dem Einsatz in entsprechenden Produkten zu rechnen.
Quelle: Anandtech.com
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Viel zu viele Dinge halten wir für so selbstverständlich, dass man gerne vergisst welch Arbeit und angeeignetes herausragendes Wissen hinter solchen Dingen steckt.
Oft heißt es nur "Mehr Leistung, weniger Verbrauch, am besten auch noch günstiger als der Vorgänger, ich will, ich will, ich will"!
Bin jedenfalls gerade wieder wirklich beeindruckt und bin es bei ähnlichen und teils auch deutlicheren Fortschritten viel zu selten.
Wird wohl wieder deutlicher ein Vorsatz werden müssen, viel mehr als weniger selbstverständlich ansehen - eben auch im technischen Bereich (auch wenn dieser diesbezüglich lange nicht auf Nr. 1 steht