MRAM-Chips: Schneller, nicht flüchtiger Schreibpuffer für Enterprise-Kunden

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SSD: schneller, nicht flüchtiger Schreibpuffer für Enterprise-Kunden
Quelle: Everspin Technologies Inc.

Der bei privaten Anwendern eher unbekannte Speicherhersteller Everspin stellte erst kürzlich seinen neuen STT-MRAM-Chip mit 1 Gbit Fassungsvermögen vor und kündigt nun eine Partnerschaft mit dem SSD-Controllerhersteller Phison an. Everspin ist momentan der größte Anbieter für nichtflüchtigen MRAM, der vor allem in der Industrie zum Einsatz kommt.

Der Sprung von 256 Mbit auf 1 Gbit Arbeitsspeicher ist ein Meilenstein, zumindest wenn es um MRAM-Chips (Magnetoresistive Random Access Memory) geht. Im Gegensatz zu DRAM und SRAM sind diese nicht flüchtig, erhalten die Daten also auch, wenn kein Strom mehr fließt. Die Tatsache, dass bei einem Stromausfall die wichtigsten Daten überleben, prädestiniert den teuren MRAM für die Industrie, wo Datenverlust kostspielig werden kann.

Everspin, der zurzeit größte Hersteller für MRAM-Chips, möchte die Verbreitung seiner Produkte vorantreiben und geht dafür eine Partnerschaft mit Phison ein, einem Hersteller für unter anderem NAND-Speicherkontroller. Allen voran geht es hier um die Unterstützung des MRAMs von SSD-Kontrollern, um zukünftig neue Lösungen für Enterprise-Kunden anbieten zu können. Hierfür erfahren die Chips außerdem eine Anpassung an das verbreitete DDR4-basierende Interface. Diese Next-Generation SSD-Kontroller sind für Produkte bestimmt, bei denen Zugriffszeit und Sicherheit an oberster Stelle stehen.

"Da Hersteller für Enterprise-SSDs einen immer kleineren Formfaktor und höhere Performance anstreben, wird STT-MRAM entsprechend mehr Geschwindigkeit und einen nicht flüchtigen Schreibpuffer liefern, um bessere Performance und eine höhere Speicherdichte zu ermöglichen." verspricht Rizwan Ahmed von Everspin.

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Bisher wurden Produkte mit MRAM vor allem für speicherprogrammierbare Steuerungen (SPS), elektronische Zahlungssysteme, GPS-Tracker oder als Cache für Serversysteme verwendet. In zukünftigen Enterprise-SSDs werden die neuen STT-MRAM-Chips wohl auch als Cache fungieren, um schnell auf die wichtigsten Daten zugreifen zu können und diese gleichzeitig zu sichern. Für den privaten Anwender wird diese Variante höchstwahrscheinlich außerhalb des Budgets liegen.

Auch als Arbeitsspeicher wird MRAM nicht allzu bald die flüchtigen Alternativen ersetzen können. Mit 1 Gbit (entspricht 128 MB) sind die Module immer noch viel zu klein, als dass sie den immer hungrigeren Anwendungen standhalten könnten. Die Produktion der Chips soll im 3. Quartal 2019 starten, wobei eine 8-bit und eine 16-bit Version nach JEDEC-Standard, passend zum DDR4-Interface, zur Auswahl stehen werden.

Quelle: Business Wire, Wikipedia

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    • Kommentare (6)

      Zur Diskussion im Forum
      • Von wuselsurfer Kokü-Junkie (m/w)
        AW: MRAM: Schneller, nicht flüchtiger Schreibpuffer für Enterprise-Kunden

        Zitat von PCGH_Torsten
        MRAM selbst ist vom Funktionsprinzip her haltbarer als Flash. Letzterer nutzt Ladungsträger, die entweichen wollen, die magnetische Information in MRAM dagegen ist ähnlich statisch wie auf einer HDD oder Diskette.
        Flash ist ein kondensatorgestützter Speicher und MRAM ein magnetfeldgestützter Speicher, um es mal kurz zu fassen.

        Ein Kondensator entlädt sich um so schneller, je geringer der Isolationswiderstand an seinen Anschlüssen und innerhalb seiner Struktur ("Kondensatorplatten" und Dielektrikum) ist.
        Ein Magnet magnetisiert sich um so schneller um, je höher die Kräfte sind, die an der Weissschen Bezirken ziehen.

        Erfahrungsgemäß hält da ein Magnet länger.
      • Von wuselsurfer Kokü-Junkie (m/w)
        AW: MRAM: Schneller, nicht flüchtiger Schreibpuffer für Enterprise-Kunden

        Zitat von PCGH_Torsten
        MRAM selbst ist vom Funktionsprinzip her haltbarer als Flash. Letzterer nutzt Ladungsträger, die entweichen wollen, die magnetische Information in MRAM dagegen ist ähnlich statisch wie auf einer HDD oder Diskette.
        Flash ist ein kondensatorgestützter Speicher und MRAM ein magnetfeldgestützter Speicher, um es mal kurz zu fassen.

        Ein Kondensator entlädt sich um so schneller, je geringer der Isolationswiderstand an seinen Anschlüssen und innerhalb seiner Struktur ("Kondensatorplatten" und Dielektrikum) ist.
        Ein Magnet magnetisiert sich um so schneller um, je höher die Kräfte sind, die an der Weissschen Bezirken ziehen.

        Erfahrungsgemäß hält da ein Magnet länger.
      • Von Incredible Alk Flüssigstickstoff-Guru (m/w)
        AW: MRAM: Schneller, nicht flüchtiger Schreibpuffer für Enterprise-Kunden

        Zitat von PCGH_Torsten
        enstprechende Cartridges beispielsweise für SNES und Mega Drive, die SRAM als Speicher für Spielstände oder gar Spieldaten benutzen, habe eine interne Batterie für die parmanente Stromversorgung.
        Was nebenbei aufzeigt wie winzig der Energieverbrauch für den Datenerhalt da ist. Ich habe SNES-Cartridges mit Spielständen darauf die aus Mitte der 90er Jahre stammen (meinen ersten Spielstand von a Link to the Past hab ich nie gelöscht^^). Die sind nach über 20 Jahren (!) noch immer da. Da stirbt eher die Batterie an Alterskorrosion als dass sie entladen wird.
      • Von PCGH_Torsten Kokü-Junkie (m/w)
        AW: MRAM: Schneller, nicht flüchtiger Schreibpuffer für Enterprise-Kunden

        Zitat von T-MAXX
        Kam das nicht auch in den Motorola CPUs der MC 680x0 Serie schon vor?
        Und solche CPUs fanden z. B. im Commodore Amiga meist auf Turbokarten Platz.
        Damals hieß es MMU, die auch eine Speicherverwaltung darstellt, oder verwechsle ich da was?
        MRAM stammt doch aus den frühen 1990er Jahren, soweit ich mich erinnern kann...
        In CPUs wurde das noch nie integriert und auch wenn es seit den 80ern Laborversuche gab, wären mir aus dem letzten Jahrtausend keine kommerziellen Chips bekannt. Vielleicht verwechselst du etwas mit SRAM? Der wird bis heute für Caches in CPUs genutzt und zu der Hochphase der 680x0-basierten Rechner wurde er auch als Solid-State-Speicher verwendet. SRAM ist aber hochgradig flüchtig und enstprechende Cartridges beispielsweise für SNES und Mega Drive, die SRAM als Speicher für Spielstände oder gar Spieldaten benutzen, habe eine interne Batterie für die parmanente Stromversorgung.

        Zitat von Arkintosz
        Was bedeutet eigentlich „nicht-flüchtig“?
        SSDs verlieren schon nach einigen Monaten Daten, wenn der Strom fehlt. Dieses MRAM-Zeug hört sich nicht so an, als ob es länger halten würde.

        Ist es nicht ein Sicherheitsrisiko, wenn das im Arbeitsspeicher noch enthaltene Passwort, das man für einen Login dort eingegeben hat, erst verschwindet, wenn es überschrieben wird, und nicht mehr, wenn man den PC ausschaltet??? Will man das???

        Die ganze Technik ist wirklich einzig und alleine bei Servern sinnvoll. Bei allen anderen Geräten ist sie ein schlimmes Sicherheitsrisiko, es sei denn, man könnte die Daten zu 100% zuverlässig verschlüsseln.
        Passwörter oder ähnliches müssten gezielt aus dem flüchtigen Speicher gelöscht oder besser gar nicht erst entschlüsselt in diesem gespeichert werden. Das gilt eingeschränkt aber auf für DRAM. Wenn man entsprechend vorbereitet ist, kann man den Speicherstand eines RAM-Moduls so konservieren, dass er sich nach Entnahme aus dem Rechner forensisch auswerten lässt.
        MRAM selbst ist vom Funktionsprinzip her haltbarer als Flash. Letzterer nutzt Ladungsträger, die entweichen wollen, die magnetische Information in MRAM dagegen ist ähnlich statisch wie auf einer HDD oder Diskette. Genau wie bei letzteren beiden sollte MRAM aber eine gewissen Empfindlichkeit gegenüber externen Störungen aufweisen, je nach Größe der Zellen. Man müsste beim Hersteller anfragen, wie hoch die Retention-Time des jeweiligen Chips unter bestimmten Bedingungen ist.

        Flash schafft übrigtens auch mehrere Monate, zum Teil mehrere Jahre. Die JEDEC-Spezifikationen im Monatsbereich sind der allgemein akzeptierte Grenzwert, jenseits dessen eine Zelle als defekt gilt. Leider geben die Hersteller ungern an, ob eine neue/nur halb verschlissene Zelle das doppelte, zehn- oder hundertfache schafft.
      • Von Diablokiller999 Freizeitschrauber(in)
        AW: MRAM: Schneller, nicht flüchtiger Schreibpuffer für Enterprise-Kunden

        Zitat von T-MAXX
        MRAM stammt doch aus den frühen 1990er Jahren, soweit ich mich erinnern kann...
        So wie NAND, Li-Ion, OLED und andere tolle Sachen die jahrzehnte in Entwicklung waren, bis sie ihren kommerziellen Durchbruch hatten
      • Von Arkintosz
        AW: MRAM: Schneller, nicht flüchtiger Schreibpuffer für Enterprise-Kunden

        Was bedeutet eigentlich „nicht-flüchtig“?
        SSDs verlieren schon nach einigen Monaten Daten, wenn der Strom fehlt. Dieses MRAM-Zeug hört sich nicht so an, als ob es länger halten würde.

        Ist es nicht ein Sicherheitsrisiko, wenn das im Arbeitsspeicher noch enthaltene Passwort, das man für einen Login dort eingegeben hat, erst verschwindet, wenn es überschrieben wird, und nicht mehr, wenn man den PC ausschaltet??? Will man das???

        Die ganze Technik ist wirklich einzig und alleine bei Servern sinnvoll. Bei allen anderen Geräten ist sie ein schlimmes Sicherheitsrisiko, es sei denn, man könnte die Daten zu 100% zuverlässig verschlüsseln.
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