SSD: Kommt ein neues 990-Einstiegsmodell von Samsung?
Samsung bereitet mit der SSD 990 wahrscheinlich ein neues Gen-4-NVMe-Einstiegsmodell vor: DRAM-los und mit QLC-NAND-Flash, jedoch mit bis zu 7.250 MiB/s Lesegeschwindigkeit.
Samsung arbeitet offenbar an einem neuen NVMe-SSD-Modell mit der Bezeichnung "990 PCIe 4.0". Hinweise auf den neuen Speicher tauchten kurzzeitig auf der kanadischen Samsung-Website auf, wurden dort jedoch bereits wieder entfernt. Anders als der Name vermuten lässt, handelt es sich bei der 990 nicht um eine typische Evo- oder Pro-Variante, sondern um ein preisgünstiges Einstiegsmodell.
Laut Webseite soll es in den Größen 1 TiB und 2 TiB erhältlich sein. Während die Evo-Plus-Variante wahlweise mit Gen-4-x4- oder Gen-5-x2-Anbindung erhältlich ist, setzt die neue 990 ausschließlich auf eine Gen-4-x4-Schnittstelle. Die Samsung SSD 990 soll zudem über einen hauseigenen Samsung-Controller verfügen. Als Cache-Speicher soll Host Memory Buffer (kurz: HMB) zum Einsatz kommen, ein dezidierter DRAM-Cache wird explizit nicht erwähnt.
Die weiteren Spezifikationen deuten auf den Einsatz von QLC-NAND-Flash hin, da die Schreibausdauer niedriger ausfällt als bei der 3D-TLC-NAND-Flash-basierten Pro-Variante. Für die 1-TiB-Version wird eine Belastbarkeit von 400 TBW (Terabytes Written) angegeben, während das 2-TiB-Modell 800 TBW erreichen soll. Für das 2-TiB-Modell werden 850.000 IOPS beim Lesen und 1,2 Mio. IOPS beim Schreiben angegeben.
Die sequenziellen Transferraten bewegen sich hingegen im oberen Bereich des PCIe-4.0-Standards: Das 2-TiB-Modell erzielt laut Hersteller eine Lesegeschwindigkeit von bis zu 7.250 MiB/s, die 1-TiB-Variante bis zu 7.150 MiB/s. Beide Modelle erreichen demnach sequenzielle Schreibgeschwindigkeiten von maximal 6.450 MiB/s. Samsung hat sich offiziell bislang nicht zu der neuen SSD geäußert.
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Quelle: via Videocardz
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