AMD Ryzen 7 9800X3D: Mikroskop-Analyse lieferte spannende Details zum Aufbau
Unter dem Mikroskop verrät der AMD Ryzen 7 9800X3D spannende Details. Die eigentlichen Chips sind beispielsweise sehr dünn. Sie werden aber künstlich verdickt, um die Stabilität zu erhöhen. Zudem ist nun die Layer-Anzahl der Chips bekannt.
Mit den Ryzen 9000 Prozessoren setzt AMD nicht nur auf eine neue Architektur und eine modernisierte Fertigung, sondern auch auf einen verbesserten Ansatz für den X3D-Cache. Im Vergleich zu den beiden vorherigen Generationen sitzt dieser jetzt unter und nicht mehr über dem CCD - dem Rechenchip mit jeweils acht Kernen. Dadurch gibt es weiterhin eine schnelle Datenverbindung zwischen beiden Chips, die Abwärme der CPU-Kerne kann aber leichter abgeführt werden.
Eigentlich zu dünn
Die Verbindung beider Chips erfolgt dabei ein weiteres Mal über TSMCs Stacking-Technik. Ebendiese wurde dabei, ebenso wie der Aufbau beider einzelner Chips, jüngst vom Chip-Analyst Tom Wassick untersucht. Auf X berichtete er letzte Woche von seinen Beobachtungen mit einem Ryzen 7 9800X3D, für die er den Chip offenbar unter einem Mikroskop untersucht hat.
Die Dicke der aktiven Silizium-Zonen ist dabei angeblich sehr niedrig: Beim SRAM / X3D-Cache beträgt sie nur 6 µm, während der CCD auf 7,2 µm kommt. Mit den darüber befindlichen Verschaltungen - 14 Layern beim SRAM und 18 Layer beim Rechenchip - soll die Höhe zwar immerhin auf 40 bis 45 µm ansteigen. Auch damit besteht aber noch die Gefahr, dass die Chips bei der Weiterverarbeitung oder im Betrieb zerbrechen könnten. Deshalb werden sie je mit einem funktionslosen Silizium-Dummy verbunden, der die Höhe auf rund 800 µm anhebt und die Stabilität erhöht. Um das aktive vom inaktiven Silizium zu trennen, bringt TSMC dabei offenbar eine 425 nm dicke Schicht aus zwei unterschiedlichen Materialien auf, die wohl Leckströme unterbinden soll.
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Eine weitere Erkenntnis hat Tom Wassick außerdem zur Größe der Chips geteilt: Demnach ist der SRAM-Chip eigentlich minimal größer als das CCD, weshalb dieses mit einer Oxidkante aufgebläht wird. Die Verbindung beider Halbleiter erfolgt dabei, wie üblich, durch Through Silicon Vias (TSVs). Bei ebendiesen konnte Wassick Abstände von 10 und 19 µm erkennen, wobei die einzelnen Verbindungen offenbar nur einen Gesamtdurchmesser von 2 µm haben. Zukünftige X3D-Prozessoren dürften in dieser Hinsicht dabei noch deutlich näher zusammenrücken, denn TSMC hat neben der Miniaturisierung der Transistoren längst auch die Verkleinerung und Optimierung im Packaging-Bereich im Blick. Das dürfte wiederum zukünftigen X3D-Prozessoren zugutekommen, sofern AMD auch in Zukunft an der bei Spielern sehr beliebten Technik festhält.
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Quelle: via Wccftech
