Durchbruch beim Hybrid Memory Cube Consortium - Spezifikation 1.0 veröffentlicht
Das Hybrid Memory Cube Consortium mit mehr als 100 beteiligten Herstellerfirmen hat die erste Spezifikation 1.0 für den Hybrid Memory Cube veröffentlicht. Die erste Spezifikation entstand in einer Arbeitszeit von rund 17 Monaten und markiert einen Wendepunkt in der Entwicklung der neuen Speichertechnologie, die einen Paradigmenwechsel einleiten soll.
Hinter Hybrid Memory Cube (HMC) verbirgt sich eine neue DRAM-Architektur, die eine Hochgeschwindigkeitslogik-Prozesstechnologie mit einem Speicher-Die kombiniert, bei dem Silizium-Durchkontaktierung zum Einsatz kommt. In der Halbleitertechnik versteht man darunter eine meist vertikale elektrische Verbindung zwischen einem Metall und einem Siliziumsubstrat. So lassen sich integrierte, dreidimensionale Schaltkreise erstellen, die nach außen hin wie einzelne Schaltkreise erscheinen, tatsächlich aber hochintegrierte Hybrid-Schaltkreise mit gestapelten, abgedünnten Einzelchips sind. Aufgrund des schnellen Erreichens des ersten Meilensteins in der Entwicklung der neuen Speichertechnik, haben sich die Mitglieder des Konsortiums darauf geeinigt, den gemeinschaftlichen Entwicklungsprozess zu erweitern, um sich schnell auf ein gemeinsames standardisiertes HMC-Interface zu einigen.
Laut Robert Feurle, Vizepräsident der DRAM-Marketingabteilung von Micron, sei das Erreichen dieses Meilensteins der erste Schritt zum Überwinden der Speicherhürde. Feurle verspricht eine rasante Entwicklung der neuen Technologie durch die Einigung auf eine gemeinsame Spezifikation in der Industrie und prophezeit radikale Verbesserungen bei Computersystemen, und vor allem bei Nutzeranwendungen. Jim Elliott, Vizepräsident der Speicherentwicklung und des Produktmarketings bei Samsung, lobt den Konsens der großen Speicherhersteller und schreibt dem gemeinsamen Bemühen großes Entwicklungspotenzial zu.
Eine der größten Hürden für die Entwickler ist, den Speicher auf zukünftige Bedürfnisse anzupassen, die Hochleistungsrechner und Netzwerke der nächsten Generation mit sich bringen. Der Hybrid Memory Cube soll den Speichertransferraten-Flaschenhals weiten, um einen effektiveren Datenaustausch zwischen Speicher und Prozessor zu ermöglichen. In Zukunft sollen vor allem Server, Hocheleistungsrechner, Netzwerk-Lösungen, Cloud-Speicher und Unterhaltungselektronik von Speicher mit einem hohen Datendurchsatz profitieren.
Die momentane Spezifikation sorgt für eine verbesserte Kommunikation bei den kleinen Strecken zwischen den physischen Schichten (PHYs). Das nächste Ziel der HMC-Entwickler ist, neue Standards zu finden, um die Datenraten von 10, 12,5 und 15 Gigabits pro Sekunde auf bis zu 28 Gigabit pro Sekunde für Short-Reach-Verbindungen zwischen einzelnen Lagen zu erhöhen und eine Steigerung von zehn auf 15 Gigabit pro Sekunde für Ultra-Short-Reach-Verbindungen zu erzielen. Die nächste Entwicklungsstufe der Spezifikation wird für das erste Quartal 2014 erwartet. Laut Hybrid Memory Cube Consortium soll ein einziger Hybrid Memory Cube in der Lage sein, die 15-fache Leistung eines DDR3-Moduls zu erzielen. Pro Bit soll außerdem eine Energieersparnis von 70 Prozent gegenüber DDR3-SDRAM möglich sein. Die Platzersparnis gegenüber aktueller RDIMMs beziffert das Konsortium sogar auf rund 90 Prozent.
Das Hybrid Memory Cube Consortium ist ein Zusammenschluss mehrer Original Equipment Manufacturer und weiterer Firmen welche bei der Entwicklung und Implementierung des neuen Interface-Standards des Hybrid Memory Cubes zusammenarbeiten. Bekannte Firmen der über 100 Hersteller sind unter anderem Altera, Arm, Cray, Fujitsu, Globalfoundries, Hp, Ibm, Marvell, Micron Technology, National Instruments, Open-Silicon, Samsung, SK hynix, ST Microelectronics, Teradyne und Xilinx.
Quelle: Hybridmemorycube.org
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