High-Bandwidth Memory: Samsung produziert HBM ab 2016
Auf dem Intel Developer Forum 2015 in San Francisco hat Samsung angekündigt, ab 2016 High-Bandwidth Memory in großen Mengen produzieren zu wollen. Die Angaben entsprechen dem, was SK Hynix als "HBM-2" definiert, wobei zunächst der Grafikkarten- und HPC-Markt bedient werden soll.
Zum großen Teil SK Hynix und AMD haben gemeinsam den Speicherstandard High-Bandwidth Memory entwickelt, der unter anderem dazu dienen soll, den GDDR5-Speicher von Grafikkarten abzulösen. Von der JEDEC wurde das Ganze als Standard spezifiziert. Anders als GDDR5 wird HBM nicht auf dem PCB verlötet, sondern über einen Silizium-Interposer mit der GPU verbunden, damit die 1.028 Leiterbahnen pro HBM-Stapel ihren Platz finden.
Bisher fertigt ausschließlich SK Hynix HBM-Speicher, wobei die Produktion unabhängig von der JEDEC in die beiden Generationen "HBM-1" und "HBM-2" untergliedert wird. Ersteres nutzt AMD bei seinen Fiji-basierten Grafikkarten, Letzteres soll ab der Arctic-Islands- sowie Nvidias Pascals-Serie zum Einsatz kommen. Auf dem IDF hat sich nun Samsung als zweiter Produzent von HBM aufgetan, der die Massenproduktion Anfang 2016 beginnen möchte. Erfahrung beim Stapeln von Speicherchips sammelte Samsung unter anderem schon mit dem hauseigenen 3D-VNAND, wie er bei den SSDs ab der 840er-Reihe zum Einsatz kommt. Die Angaben zur eigenen HBM-Produktion entsprechen dem, was SK Hynix als "HBM-2" bezeichnet.
Künftig angeboten werden HBM-Stacks bestehend aus zwei, vier oder acht Speicherlagen, die jeweils acht Gigabit speichern. Dementsprechend sind die Stapel 2, 4 oder 8 GiByte groß, jeder erreicht bei 2 Gbps (1.000 MHz) Übertragungsraten von 256 GB/s. Bei einem Chip mit vier HBM-Stacks, wie bei AMDs Fiji-GPUs, wäre das ein Terabyte pro Sekunde, wobei Samsung auch explizit einen HPC-Chip mit sechs Stacks veranschaulicht, der so auf 1,5 TB/s käme. Am anderen Ende werden kleine Chips mit einem oder zwei Stapeln gezeigt: Damit ließen sich recht günstige Einstieglösungen realisieren, da auch der Interposer nicht sehr groß ausfallen muss. Zunächst möchte Samsung den Grafikkarten- und HPC-Markt bedienen, ab 2017 soll unter anderem das Netzwerkgeschäft folgen.
Quelle: computerbase.de
CB behauptet das auch immer, soetwas nervt halt langsam, ich will nicht immer den selben unsinn in artikeln lesen:\
Umgekehrt bezieht Samsung seine Erfahrung mit Stacked-Packages natürlich nicht aus der dreidimensionalen Verschaltung innerhalb der DIEs, sondern aus dem Verkauf von Stacked-NAND- und Stacked-DRAM-Packages, wobei die einzelnen DIEs innerhalb der Packages verschiedenste Bauformen aufweisen können.
(Anmerkung: 2,5 D wird allerdings auch als Bezeichnung für Stacked Chips genutzt, die schmalbandig ohne TSVs kontaktiert werden.)
warum haben die autoren wenn ein artikel ins heft kommt plötzlich mehr ahnung?
3D-V-NAND als Stacked-RAM zu bezeichnen ist ja eher eine massive wissenslücke:\
CB behauptet das auch immer, soetwas nervt halt langsam, ich will nicht immer den selben unsinn in artikeln lesen:\
ich finde redaktionen sollten sich vom marketing nicht blenden lassen!
den gestapelten DDR4 kenne ich, da sollte man sich im artikel halt darauf beziehen.
Wer auch immer den Artikel korrigiert hat: Die Datenrate pro DQ ist immer noch falsch.