DDR4-RAM-Overclocking: Weltrekord mit Ballistix und Micron-Chips erzielt (DDR4-5726)
Nur wenige Tage nach dem mit einem Adata-Riegel aufgestellten Bestwert von DDR4-5634 gibt es einen neuen DDR4-Weltrekord, nämlich DDR4-5726. Dieses Mal kam ein Ballistix-Modul zum Einsatz. Interessant ist das Ergebnis auch deshalb, weil statt der für Rekordversuche seit mehreren Jahren üblichen Samsung B-Dies auf dem Speichermodul Bausteine von Micron verbaut sind.
Genutzt wurde ein Ballistix-Elite-Modul mit der Produktnummer BLE8G4D36BEEAK.M8FE1, wie es in den 2019 veröffentlichten und für DDR4-3600 (16-18-18-38) bei 1,35 Volt ausgelegten Kits von Ballistix zu finden ist. Laut SPD-EEPROM wurde der Rekord-Stick in der 19. Woche des Jahres gefertigt, also erst vergangene Woche. Hiermit erzielten die Übertakter Stavros Savvopoulos und Phil Strecker, die das Ergebnis unter der Team-Bezeichnung Overclocked Gaming Systems (OGS) veröffentlicht haben, einen von CPU-Z validierte Taktrate von 2.863 MHz (DDR4-5726) bei den Timings 24-31-31-63 3T. Beim Setup handelt es sich um einen Core i7-8086K auf der für Extreme-Overclocking zugeschnittenen Z390-Platine Asus Maximus XI Apex. Sowohl der Prozessor als auch das RAM-Modul wurden mithilfe von Containern und flüssigem Stickstoff (-196 °C) bei tiefkalten Temperaturen betrieben, Bilder des Setups wurden bei Hwbot hochgeladen. Dort ist auch ein Screenshot von 2.864,4 MHz (DDR4-5729) zu sehen, das etwas bessere Ergebnis ließ sich aber wohl nicht bei CPU-Z validieren, wofür eine intakte Datei benötigt wird.
Besonders interessant an dem Rekord ist, dass auf dem Modul nicht die für zahlreiche DDR4-Rekorde genutzten B-Dies von Samsung stecken, sondern Micron-Bausteine der E-Revision. Diese zeichneten sich dem Extrem-Übertakter Savvopoulus zufolge durch ein sehr unkompliziertes Verhalten bei extremer Kühlung und Überspannung aus, welches der Rekordjäger als "wahres Plug-and-Play-Erlebnis" zusammenfasste. Der RAM-Tuner meint außerdem: "Andere Module, die wir übertaktet haben, können launisch sein und müssen bei Temperaturen gehalten werden, die unter der für die Stabilität erforderlichen liegen. Das haben wir jedoch nicht mit dem E-Die von Micron erlebt, der sowohl bei extremen Spannungen als auch bei extremen Temperaturen viel besser skaliert."
Weiteren Ausführungen im Hwbot-Forum zufolge musste beim Übertakten auch nicht die Maxmem-Funktion genutzt werden, um die für Windows nutzbare Speichermenge zu reduzieren, wie es zum Ausreizen von Samsung-B-Die-bestückten Riegeln üblich ist. Da außerdem weder ein Coldbug noch ein Coldbootbug beobachtet wurde - in beiden Fällen darf eine bestimmte Chiptemperatur nicht unterschritten werden, damit die Funktionstauglichkeit gewährleistet ist - dürfte es theoretisch mit einer noch extremeren Kühlsubstanz wie dem rarem und entsprechend teuren und selten für Overclocking genutzten Helium weiteren Spielraum für Takterhöhungen geben. Mutmaßlich dürften in den nächsten Wochen und Monaten aber ohnehin einige vielversprechende Rekordversuche von Übertaktern stattfinden, die bisher auf Module mit Samsung B-Dies fixiert waren. Sehr scharfe Timings für mehr Leistung in Benchmarks sind allerdings weiterhin ein Vorteil der Samsung-Bausteine.
Und eine gute Kühlung macht auch einiges aus.
Genau darum geht es doch. Warum also noch die überteuerten und nur hochgehypten Samsung Chips kaufen. So schlecht scheint Micron nicht mehr zu sein.
https://www.pcgameshardwa...
Diesmal mit Samsung Chips.
Man kann Glück und Pech haben. Ich hielt von Micron eigentlich recht viel nachdem mein erstes DDR3-1600-CL8-Kit von denen relativ anstandslos DDR3-2133 CL9 mitgemacht hat. Als beim zweiten Kit ein Riegel defekt war, ließ meine Begeisterung wieder nach. Jetzt habe ich einfach Corsairriegel und keine Ahnung, was da für Chips drauf sind. Irgendwann mal gucken, ob die mehr mitmachen. Dafür muss die CPU aber erstmal ihre Stabilität im Sommer beweisen.