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[08/07/2009] Entfernen des Fotolackes (Maßstab: Transistorformat, ~50-200nm): Nun wird auch der verbleibende Fotolack entfernt und damit ein Silizium-Strukturen freigelegt, die das Muster der Belichtungsmaske wiederspiegeln.
![[08/07/2009] Entfernen des Fotolackes (Maßstab: Transistorformat, ~50-200nm): Nun wird auch der verbleibende Fotolack entfernt und damit ein Silizium-Strukturen freigelegt, die das Muster der Belichtungsmaske wiederspiegeln.](/screenshots/1280x1024/2009/07/14_04_etching_3.jpg)
