IDF Shanghai 2008: Nehalem - Optimale Leistung mit drei gleich bestückten DDR3-Kanälen
Auf dem IDF in Shanghai konnten wir etwas mehr über das Speicherinterface des Nehalem-Prozessors in Erfahrung bringen.
Gut zu sehen: drei Speicherkanäle mit jeweils zwei DIMM-Slots
Die wichtigsten Informationen über Intels neue Prozessorfamilie Nehalem haben wir bereits geliefert (Intel enthüllt Nehalem-Details) - in einer weiteren Präsentation wurde nun etwas mehr über den Speichercontroller des Vierkerners Bloomfield bekannt. Der Controller wandert mit der Nehalem-Familie erstmals bei Intel direkt in den Prozessor.
Klare Aussage: "Best performance when all channels are evenly populated."
Wie zu erwarten unterstützt er ausschließlich DDR3-RAM. Dabei bietet er drei Kanäle, also insgesamt sechs Steckplätze; mit 4-GiByte-Modulen ergibt sich ein maximaler Speicherausbau von 24 GiByte RAM. Der erste Steckplatz (Slot 0) muss dabei stets bevölkert sein.
Wichtig ist aber auch, dass alle drei Kanäle mit der gleichen Speichermenge bestückt sein sollten, um maximale Performance zu erzielen. Das hat natürlich ungewöhnlich "krumme" Speichermengen wie 3x 1 GiByte oder 3x 2 GiByte zur Folge - und erschwert das Aufrüsten.
