[28/06/2020] Zunächst sollen GAA-Transistoren (Gate-All-Around) und schließlich Nanosheets (Hier: MBCFET) die effektive Gatebreite von Transistoren vergrößern, ohne den tatsächlichen Flächenbedarf zu erhöhen. Dadurch könnten höhere Schaltfrequenzen oder ein niedriger Energieverbrauch erreicht werden.
![[28/06/2020] Zunächst sollen GAA-Transistoren (Gate-All-Around) und schließlich Nanosheets (Hier: MBCFET) die effektive Gatebreite von Transistoren vergrößern, ohne den tatsächlichen Flächenbedarf zu erhöhen. Dadurch könnten höhere Schaltfrequenzen oder ein niedriger Energieverbrauch erreicht werden.](/screenshots/1280x1024/2020/06/Samsung-GAAFET-Nanowire-pcgh.png)
