[28/06/2020] Durch GAAFETs (Gate-All-Around Field-Effect Transistor) soll die effektive Gatebreite von Transistoren vergrößert werden, ohne den tatsächlichen Flächenbedarf zu erhöhen. Dadurch könnten höhere Schaltfrequenzen oder ein niedriger Energieverbrauch erreicht werden.
![[28/06/2020] Durch GAAFETs (Gate-All-Around Field-Effect Transistor) soll die effektive Gatebreite von Transistoren vergrößert werden, ohne den tatsächlichen Flächenbedarf zu erhöhen. Dadurch könnten höhere Schaltfrequenzen oder ein niedriger Energieverbrauch erreicht werden.](/screenshots/1280x1024/2020/06/Samsung-GAAFET-Nanowire-pcgh.png)
