Ende des DDR-Rams? Intel stellt Hybrid Memory Cube vor [News des Tages]

Intels Technikchef (CTO) Justin Rattner hat am vergangenen Donnerstag seine neue Speichertechnologie Hybrid Memory Cube vorgestellt. Zusammen mit der Firma Micron hat er eine Forschertruppe auf die Beine gestellt, die den Nachfolger des DDR-basierten DRAMs erfunden haben will. Als Begründung zur Notwendigkeit sagt er:

Eines der größten Hindernisse, Server zu skalieren, ist die verfügbare Speicherbandbreite und die damit verbundenen Kosten [durch den steigenden Stromverbrauch]. Da die Zahl der Rechenkerne immer weiter zunimmt, steig damit proportional der Bedarf, jeden dieser Kerne mit Speicher zu versorgen. Herkömmlicher Speicher im DDR-Design wird dafür nicht mehr lange ausreichen. Als Input-Output-Forscher ist mein erstes Anliegen, das Bandbreiten-Problem zu lösen. Dabei konzentrierte ich mich zunächst ausschließlich auf die Schaltkreise, Verknüpfungen und Drähte, die die Verbindung vom Prozessor zum Speicher darstellen.

Um dies zu bewerkstelligen, haben Rattner und seine Forscher mehrere DRAM-Lagen und dazwischen so genannte "Logic Layer" verbunden, deren Funktion man mit einem U-Bahnnetz vergleichen könnte, das die Staus in der Speicherschicht reduzieren soll. Des Weiteren werde der Logic Layer mit einer Kontroll-Logik versehen, die die komplexen Wege der Daten überblickt und den damit verbundenen Aufwand autonom bewerkstelligt. Damit sollen direktere Zugriffsprotokolle nutzbar werden als dies bisher mit DDR-basiertem DRAM möglich gewesen sei.

Bereits vor einem Jahr habe Intel Speicher vorgestellt, der mit nur 1,4 Milliwatt 1 Gbit pro Sekunde transportiert. Zusammen mit Micron hat der Chipriese nun einen ersten Prototypen des gestapelten Speichers gefertigt. Der Hybrid Memory Cube bringe es laut eigener Messungen auf ein kontinuierliches Terabit pro Sekunde, was bisherige Bandbreiten um den Faktor zehn übertreffen soll. Dabei verbrauche man um das Siebenfache weniger Energie mit den Hybrid-Sandwich als mit einem vergleichbaren Arrangement aus hocheffizienten DDR3-Modulen.

Quelle: Intel