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  • Intel Broadwell: Core M noch dieses Jahr, Desktop-Modelle H1/2015, 14 vs. 22 nm, Ausblick auf EUV

    Intels kommende CPU-Generation, Broadwell, steht in den Startlöchern und soll in den kommenden Monaten die aktuellen Haswell-Modelle ablösen. Kürzlich hat der Hersteller einige Informationen zu den Verbesserungen des neuen 14-nm-Prozesses, deren Produktion und den daraus resultierenden Veröffentlichungsplänen offenbart und zeigte sich dabei überraschend offen.

    Intel Broadwell: Die-Shot Intel Broadwell: Die-Shot Quelle: Intel Ursprünglich hatte Intel die Serienproduktion von 14-nm-Produkten schon im ersten Quartal dieses Jahres erwartet, wie Mark T. Bohr, Technology and Manufacturing Group Director, auf einer Presseveranstaltung am gestrigen Abend erklärte. Allerdings sei es zu Problemen gekommen, die für eine Ausbeute ("Yield") unterhalb der Erwartungen sorgte – die Produktion wäre nicht wirtschaftlich gewesen, so Bohr. Aus diesem Grund wird die erste 14-nm-Generation in Form von Broadwell stark gestaffelt auf den Markt entlassen:

    Wie die Gerüchteküche bereits durchsickern ließ, werden bis zum Jahresende die Broadwell-Y-SoCs alias Core M auf den Markt entlassen. Dabei wird erneut betont, dass diese den technologischen Sprung im Vergleich zur 22-nm-Produktion am besten zur Schau stellen könnten. Die Rede ist von Ultrabooks mit einer Dicke unterhalb von 9 mm, welche komplett ohne aktive Belüftung auskommen sollen – ein Prestige-Objekt für Intel, die Luft für die kleineren Bay-Trail-SoCs könnte so allerdings eng werden. Erst im ersten Halbjahr 2015 sollen die Desktop-Ableger folgen, eher gegen Ende denn zum Anfang.

    Intel Broadwell: Details zur 14-nm-Fertigung mit FinFETs

          

    Intel Broadwell: Präsentation (19) Intel Broadwell: Präsentation (19) Quelle: Intel Intel nennt seine "3D-Transistoren", welche mit den FinFETs bei Ivy Bridge eingeführt wurden, bekanntlich Tri-Gates. Mit Broadwell werden an diesen erstmals tiefgreifende Veränderungen vorgenommen: Die nunmehr 42 statt 34 nm hohen Fins rücken auf einen Abstand von 42 nm zusammen, vorher waren es 60 nm. Die Angaben eines Fertigungsprozesses gelten für einen Fin selbst, der noch etwas kleiner ausfällt. Dadurch erhofft sich Intel eine gleiche Leistung bei kleinerer Fläche beziehungsweise eine höhere Leistung bei gleicher Fläche – praktisch die Definition eines sogenannten Shrinks. Im Übrigen zeigt sich Intel über die Benennung neuer Fertigungsprozesse ungewohnt offen: Den letzten "echten" stellte jener in 90 nm dar, danach habe man die nächstliegenden, vordefinierten Schritte als Namen verwendet. Die Verbesserung beziffert Intel in der Regel auf den Faktor 0,53, so auch jetzt.

    Intel Broadwell: Kleinere Verbesserungen für eine höhere Effizienz

          

    Intel Broadwell: Präsentation (49) Intel Broadwell: Präsentation (49) Quelle: Intel Neben den Stromersparnissen durch die neue Fertigung soll das Turbo- und Power-Management einige Überarbeitungen erfahren, welche sowohl den CPU- als auch den GPU-Teil betreffen. Im Resultat soll die Leerlaufleistung von Broadwell-Y im Vergleich zu Haswell-Y um 60 Prozent reduziert werden. Da sich mobile Geräte meistens in einem solchen befinden, dürfte die Laufzeit erheblich ansteigen.

    Außerdem verfrachtet Intel die Spulen und Kondensatoren auf das CPU-Package, wie man es seit Haswell auch von den gesockelten Lösungen kennt und die Stromversorgung effizienter gestalten soll. Dazu kommt eine Art Kasten an der Unterseite - die eigentlich komplett verlötet wird - des SoCs zum Einsatz, der ein Loch im Mainboard erfordert. An sich stellt dies kein Problem dar, lustig wirkt es aber allemal.

    Der PCH wird bei Broadwell-Y weiterhin mit auf dem Package untergebracht – da keine Integration in die CPU selbst stattfindet, handelt es sich penibel gesehen nicht um einen richtigen SoC. Der PCH wird weiterhin in 32 nm gefertigt, soll aber trotzdem Verbesserungen gegenüber der aktuellen Generation mit sich bringen. Bis zu 25 Prozent im Leerlauf und 20 Prozent unter Last sollen an Energie eingespart werden.

    Ausblick auf neue Fertigungstechniken

          

    Zu guter Letzt gewährt Intel einen Ausblick auf die kommenden Fertigungstechniken. Nach dem 14- soll der 10-nm-Prozess folgen, der als Letzter auf die sogenannte Immersionslithografie setzen wird. Alles darunter sei physikalisch gesehen zu klein, um die Belichtungsmethode beizubehalten. Folglich soll dort die EUV-Lithografie mit ultravioletter Strahlung zum Einsatz kommen, welche von einigen Unternehmen schon seit Jahren entwickelt wird. Die ersten 450-mm-Wafer sollen entsprechend ausgerüstet werden, sodass diese nicht mehr in diesem Jahrzehnt zu erwarten seien. Intel gibt als Fahrplan 2025 an.

    02:36
    Intel Broadwell: 14-nm-Fertigungsprozess im Video erklärt
  • Es gibt 10 Kommentare zum Artikel
    Von IluBabe
    Dann gibts den Refresh und Version2 und dann den Refresh der Version2 und dann die Version3 und alle haben 100MHz…
    Von MZ259
    Joa, fail. Schon schwierig durch 1000 zu teilen Ich erinnere mich dunkel, dass das mal in meiner Schulzeit vorkam…
    Von Brehministrator
    Ähhm, fail 111pm = 0,1nm.Abgesehen davon kann man leider den Durchmesser eines Atoms nicht genau bestimmen, da es…
    Von MZ259
    Okay, wie groß ist ein Silizium-Atom? Laut Wikipedia sind es 111pm = 0,001nmIch denke 1nm oder vielleicht sogar 0,5nm…
    Von Rollora
    jopp denke ich auch, <10nm erst 2025 wäre schon ein enormer Bremser von Intel
      • Von IluBabe Volt-Modder(in)
        Zitat von FTTH
        Weniger als 10 nm erst 2025? Dass die Entwicklung jetzt erstmal langsamer wird ist klar aber wenn ≈ 2018 10-nm kommt was soll man dann 7 Jahre lang machen? Außerdem wird sowas ja gerne mal nach hinten verschoben.
        Dann gibts den Refresh und Version2 und dann den Refresh der Version2 und dann die Version3 und alle haben 100MHz mehr takt als der Vorgänger nur wo die k-Cpus rumhängen ist die Luft gleichdünn sieh i7 4770k und i7 4790k geköpft im Vergleich.
      • Von MZ259 Komplett-PC-Aufrüster(in)
        Zitat von Brehministrator
        Ähhm, fail 111pm = 0,1nm.
        Joa, fail. Schon schwierig durch 1000 zu teilen


        Zitat von Brehministrator

        Abgesehen davon kann man leider den Durchmesser eines Atoms nicht genau bestimmen, da es keine harte Schale hat, sondern eine "weiche" Elektronenwolke, die nach außen immer dünner wird. Man kann also im Prinzip jeden beliebigen Durchmesser behaupten, es gibt keine "richtige" Wahl.

        Ich erinnere mich dunkel, dass das mal in meiner Schulzeit vorkam.


        Zitat von Brehministrator

        Am sinnvollsten ist da noch, den Abstand zweier benachbarter Atome in der Silicium-Kristallstruktur zu nehmen. Hab den gerade mal ausgerechnet. Silicium kristallisiert im Diamant-Gitter mit Zellparameter 543 pm. Der Abstand nächster Nachbarn im Diamantgitter berechnet sich als Sqrt(3)/4*a, also erhält man als Atomabstand etwa 235pm. Der Atomdurchmesser ist der halbe Abstand, also ca. 118pm. Deine Zahl kommt also halbwegs hin.

        Ich denke nicht, dass man mit Silicium Strukturbreiten von ~ 1nm sehen wird. Weniger als 10 Atome im Durchmesser wäre doch zu heftig. Wie gering soll denn dann die Yield-Rate aussehen?


        Und ab da habe ich 5 Minuten gebraucht, um den Rest zu verstehen. Bei Wikipedia waren 111pm als konvalenter Radius angegeben (was auch immer dabei der Unterschied zu dem Radius mit 118pm ist)...
        Ja, ähm die Yield-Rate... 2000€ pro Chip? Die Jungs von Intel machen das schon
      • Von Brehministrator BIOS-Overclocker(in)
        Zitat von MZ259
        Okay, wie groß ist ein Silizium-Atom? Laut Wikipedia sind es 111pm = 0,001nm
        Ich denke 1nm oder vielleicht sogar 0,5nm sind drin...irgendwann.
        Ähhm, fail 111pm = 0,1nm.

        Abgesehen davon kann man leider den Durchmesser eines Atoms nicht genau bestimmen, da es keine harte Schale hat, sondern eine "weiche" Elektronenwolke, die nach außen immer dünner wird. Man kann also im Prinzip jeden beliebigen Durchmesser behaupten, es gibt keine "richtige" Wahl. Am sinnvollsten ist da noch, den Abstand zweier benachbarter Atome in der Silicium-Kristallstruktur zu nehmen. Hab den gerade mal ausgerechnet. Silicium kristallisiert im Diamant-Gitter mit Zellparameter 543 pm. Der Abstand nächster Nachbarn im Diamantgitter berechnet sich als Sqrt(3)/4*a, also erhält man als Atomabstand etwa 235pm. Der Atomdurchmesser ist der halbe Abstand, also ca. 118pm. Deine Zahl kommt also halbwegs hin.

        Ich denke nicht, dass man mit Silicium Strukturbreiten von ~ 1nm sehen wird. Weniger als 10 Atome im Durchmesser wäre doch zu heftig. Wie gering soll denn dann die Yield-Rate aussehen?
      • Von MZ259 Komplett-PC-Aufrüster(in)
        Okay, wie groß ist ein Silizium-Atom? Laut Wikipedia sind es 111pm = 0,001nm
        Ich denke 1nm oder vielleicht sogar 0,5nm sind drin...irgendwann.
      • Von Rollora Lötkolbengott/-göttin
        Zitat von Locuza
        Die Aussage gilt primär für 450mm² Wafer.
        jopp denke ich auch, <10nm erst 2025 wäre schon ein enormer Bremser von Intel
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Intel Broadwell: Core M noch dieses Jahr, Desktop-Modelle H1/2015, 14 vs. 22 nm, Ausblick auf EUV
Intels kommende CPU-Generation, Broadwell, steht in den Startlöchern und soll in den kommenden Monaten die aktuellen Haswell-Modelle ablösen. Kürzlich hat der Hersteller einige Informationen zu den Verbesserungen des neuen 14-nm-Prozesses, deren Produktion und den daraus resultierenden Veröffentlichungsplänen offenbart und zeigte sich dabei überraschend offen.
http://www.pcgameshardware.de/CPU-Hardware-154106/Specials/Intel-Broadwell-Infos-Mobile-Desktop-1132054/
12.08.2014
http://www.pcgameshardware.de/screenshots/medium/2014/08/Die-Shot_Broadwell_2-pcgh_b2teaser_169.jpg
intel,broadwell,cpu
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