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Samsung: V-NAND Gen 5 mit 96 Speicherschichten in Serienproduktion Samsung hat den Start der Serienproduktion von seinem hauseigenen V-NAND der fünften Generation verkündet. Der Flash-Speicher kommt weiterhin auf eine Kapazität von 256 Gigabit pro Chip, wird aber mit 96 statt 64 Lagen gestapelt. Verbesserungen gibt es durch eine Spannungssenkung von 1,8 auf 1,2 Volt sowie ein DDR4- statt DDR3-Interface.

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Samsung: V-NAND Gen 5 mit 96 Speicherschichten in Serienproduktion
Luxus-DDR5 bei Biwin zur Computex: 256 GiByte und RAM-Wasserkühlung 100 GB in 3,5 Sekunden: Samsungs neue SSD startet die Serienproduktion

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