Micron: 3D-NAND-Speicher mit 768 Gbit pro Chip vorgestellt

Um höhere Speicherdichten bei Flash-Speicher zu erreichen, setzen die Hersteller vermehrt auf 3D-NAND, bei dem mehrere Speicherebenen übereinander gestapelt werden. Samsung bietet entsprechende Technologie mit seinen aktuellen Evo-SSDs an, bei denen Speicherchips mit 256 Gbit auf 48 Ebenen zum Einsatz kommen. Auf der ISSCC 2016 hat Micron nun einen 3D-NAND-Chip gezeigt, der es auf die dreifache Kapazität von 768 Gbit bringt.

Dabei setzt der Hersteller auf Triple-Levels-Cells (TLC), speichert also drei Bit pro Zelle. Mit einer Fläche von 179,2 mm² fällt der Chip allerdings deutlich größer aus als bei der aktuellen Konkurrenz. Samsung beispielsweise kommt auf 97,6 mm². Nichtsdestotrotz ist die Speicherdichte mit 4,29 Gbit/s unübertroffen; Samsung erreicht 2,62 Gbit/mm². Ansonsten werden üblicherweise Werte von etwa 1 Gbit/mm² angeboten. Weitere Vorteile bietet Microns 3D-NAND bei der Lesegeschwindigkeit, die pro Chip bei 800 MB/s liegen soll, wohingegen Samsung nur 178 MB/s erreicht. Dafür fällt die Schreibleistung mit 44 statt 53 MB/s etwas langsamer aus.

Micron nutzt einen vergleichsweise günstigen Ansatz für seinen 3D-NAND-Prototyp. Statt Charge-Trap-Flash-Technik einzusetzen, kommen konventionelle Floating-Gate-Transistoren zum Einsatz. Die findet man normalerweise bei planarem, nicht gestapeltem Flash-Speicher vor und sind in der Produktion günstiger. Bei CTF treiben die Trapping Layer die Fertigungskosten in die Höhe, dafür wird üblicherweise eine höhere Datendichte erzielt.

Ob Micron seine 768-Gbit-Chips zur Marktreife führen und anbieten wird, wisse man aktuell selbst noch nicht. Ein größeres Problem liegt aktuell noch bei den Datenblöcken vor, die 96 Megabyte groß sind und nicht partiell beschrieben oder gelöscht werden können. Die gängige Garbage Collection aktueller SSDs, bei denen Datenblöcke zusammengefasst werden, woraufhin Trim die frei gewordenen Blöcke löschen kann, würde somit nicht mehr funktionieren.

Toshiba und Sandisk sollen derweil ebenfalls an TLC-Speicher mit 768 Gbit pro Chip arbeiten, den interne Roadmaps gegen Ende 2017 vorsehen. 1 Tbit wird für das darauffolgende Jahr anvisiert.

Quelle: eetimes.com

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Micron: 3D-NAND-Speicher mit 768 Gbit pro Chip vorgestellt Auf der International Solid-State Circuits Conference hat Micron einen 3D-NAND-Speicherchip vorgestellt, der eine Kapazität von 768 Gbit bereitstellt. Das ist drei Mal so viel wie Samsung derzeit bei seinem Stapel-Speicher erreicht, wobei Micron dafür eine höhere Chipfläche benötigt und aktuell nur 96-Megabyte-Blöcke beschreiben kann.

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