[08/07/2009] Dotierung (Maßstab: Transistorformat, ~50-200nm): In einem Prozess, der als Dotierung bekannt ist, wird der Wafer mit auf 300.000km/h beschleunigten Ionen beschossen. Ein Teil der Ionen dringt in die Wafer-Oberfläche ein. Diese Verunreinigungen beeinflussen die elektrische Leitfähigkeit des Siliziums.
![[08/07/2009] Dotierung (Maßstab: Transistorformat, ~50-200nm): In einem Prozess, der als Dotierung bekannt ist, wird der Wafer mit auf 300.000km/h beschleunigten Ionen beschossen. Ein Teil der Ionen dringt in die Wafer-Oberfläche ein. Diese Verunreinigungen beeinflussen die elektrische Leitfähigkeit des Siliziums.](/screenshots/1280x1024/2009/07/17_05_ion-implantation_2.jpg)
